台积电工艺加速 16nm工艺年内试产

台积电工艺加速 16nm工艺年内试产

       随着移动产业的发展，业界对更高的半导体制程的需求再度进入了一个高速发展的阶段。作为全球半导体代工市场的老大，台积电的工艺发展情况关系到众多合作厂商的产品，因此台积电的一举一动也颇受关注。日前，台积电宣布已经决定将16nmFinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用极紫外光刻技术制造10nm的芯片。

       在年初举行的半导体大会上，台积电就展示了其FinFET工艺晶圆，不过当时台积电并没有透露FinFET工艺计划将提前。

       台积电首席技术官孙元成(JackSun)表示：“我们对16nmFinFET工艺在明年的黄金时代(量产)充满信心。”他还披露，16nm目前正在使用128MbSRAM进行测试，核心电压0.8V，I/O电压1.8V，良品率“超出预期”。标准单元、内存单元等基础性IP都已经做好了准备，但是关键内部模块的测试要到6月份才会开始。

       据悉，64-bitARMv8核心在16nm工艺上的性能将比28nm32-bitARMA9高出多达90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大约40%。

       未来一段时间，半导体代工行业的升级竞赛将在三星、台积电以及GF之间上演，究竟谁能够更早的拿出20nm甚至16nm技术将关系到整个半导体产业的前进步伐。