LTE芯片将向28纳米演进 产业链日渐壮大

来源:通信世界网 作者:—— 时间:2013-05-09 10:02

     从市场数据分析,3G已经开始占据市场主导地位,TD-SCDMA终端增长迅猛,一举超过WCDMA终端的销量。此外,由于4G牌照预计将在2013年底或2014年初颁发,受这一市场消息利好,TD产业将迎来新一轮的高速增长,中国芯片企业将从中受益。

     市场逐渐形成

    “TD-SCDMA将成为2013年终端市场增长的亮点。”GfK(中国)研究经理任燕表示,2013年市场仍将以TD-SCDMA为主,从技术成熟度和中国移动的发展重点来看,TD-LTE产业将在2015年形成规模。 GfK(中国)数据显示,2012年TD-SCDMA终端销量达到5600万台,其预测2013年将达到1亿1500万台。  事实上,TD-LTE的发展显得更加主动。与TD-SCDMA时代不同的是,从一开始三星、LG、HTC、诺基亚等国际终端厂商就加入TD-LTE,并有明确的产品发布。虽然与FDD-LTE相比在全球市场仍有一定差距,但是与TD-SCDMA相比,国际化程度高出很多。

    2013年2月,TD-SCDMA终端市场份额首次超过WCDMA,成为中国市场最大的网络制式,这也为TD-LTE培育了产业链,因为后者的发展需要上下游产业链的整体配合。至于电信运营商方面,TD-LTE的国际化也显逐渐走向成熟。目前,其已在全球13个国家14个运营商实现商用,而TD-LTE走出去战略将带着中国芯片厂商和手机整机厂商走向国际化市场。因此,对于TD芯片市场的发展,IHS iSuppli半导体首席分析师顾文军表示主要存在三个机遇,即中国移动的TD-LTE商用、4G牌照的发放,以及相关产业政策或将出台,引发产业投资热。

    不过,TD-LTE全球产业链正在逐步形成并扩大,目前已经包括了超过10家系统设备厂商、超过18家芯片厂商、10余家测试设备厂商,以及50多家终端厂商。 分析机构Strategy Analytics预计,在2013至2014年,TD-LTE基站数量可能会超过40万,考虑到中国移动超过7亿的用户规模,中国TD-LTE市场的启动对芯片厂商意味着巨大的机会,尤其是展讯、联芯科技等中国企业将从中受益。

     事实上,有消息称,中国移动于近期启动了4G终端相关招标,而华为、中兴、三星、酷派约七款产品成功入围。根据采购计划,中移动采购数据类TD-LTE终端16万部,其中MIFI约3万部,CPE约10万部,TD- LTE手机约1万部。

     在科通芯城执行副总裁朱继志看来,经过多年的发展,产业链发展逐渐成熟,中国终端制造会带动上游芯片厂商向上发展。

     数据卡先、手机终端后

     “目前国内厂家在TD-LTE里面的发言权还很弱,在标准的制定,专利的拥有上面很少。”顾文军告诉记者。 从国内芯片厂商市场出货量来看,目前最大的是展讯,其次是联发科,其他厂商的出货量很少,甚至可以忽略不计。而从展讯和联发科来看,这两个厂商仍然将主要精力放在TD-SCDMA上,并非TD-LTE。因此,对于国产芯片厂商来说,保守的策略是目前面对市场的唯一方式。 对此,任燕解释称,从技术投入方面来看,展讯和联发科的策略一直是重点放在成熟市场,所以TD-LTE多模芯片对这两家来说是2014年的事情。

     从终端层面来看,目前国产TD-LTE芯片技术成熟度与国际品牌有较大差距,主要是华为、展讯等少数厂家。顾文军表示,在这个领域,目前国内芯片几乎没有和高通竞争的实力。可以看到的是,做4G基带芯片的创毅视讯因为其收入下降原因,今年中止了在创业板的IPO审查。因此,虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和知识产权,以及技术优势,但是由于TD-LTE应该是多模标准,而中国企业在WCDMA和LTE领域几乎没有专利和技术积累,这导致在竞争中中国厂商的发展将受到很大制约。

     所以无论是技术成熟度,还是中国移动发展的重点,芯片厂商都选择了对TD-LTE优先发展数据卡,然后才发展智能终端。

      对此,中兴方面亦回复记者称,“2013年TD-LTE终端主要以MiFi为主,CPE与数据卡辅助,下半年LTE单卡双待手机需求将会增加,LTE CSFB手机处于实验阶段。”

     具体来说,智能终端的TD-LTE多模芯片工艺要求为28纳米,而国产厂商创毅视讯、联芯科技等厂商仍停留40纳米。因此,除了已有商用产品发布的华为海思和中兴微电子外,其他基本用于数据卡。这是因为数据卡主要用于Wi-Fi环境下的数据传输,对整个运算和芯片设计的技术要求低一点,而手机最低也要达到28纳米。

      联芯科技总经理助理刘先军表示,对于TD-LTE芯片市场来说,在产业发展初期,基于40纳米工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广,未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能,LTE芯片将逐渐向28纳米演进,以提供更佳的用户体验。

     正因为如此,“80%的智能终端上市新品采用的芯片还是高通,而华为和中兴的TD-LTE手机使用的是自己的芯片。”任燕称,“这是产业和政策决定的。”

     此前,利用海思的芯片,华为曾推出了一款TD-LTE手机Ascend D2,主要用于中国移动试商用网络。而中兴也利用中兴微电子的芯片推出了一款智能终端产品Grand Era LTE,用于中国移动在中国香港市场,后者已宣布TD-LTE网络正式投入商用。

     不过,也有另一种声音认为,工艺并不是制约芯片厂商发展的因素。朱继志表示,追求工艺会导致企业承担更大的风险。朱继志称,“因为数据卡的门槛低,可靠性、功耗等没有手机那么复杂。”所以芯片厂商的产品研发出来后,通过切入数据卡市场,既可以解决前期找客户难的问题,也可以通过与客户的配合,解决产品自身问题和适应市场变化。

    下一步:多模多频高集成

     虽然Strategy Analytics手机芯片高级分析师 Sravan Kundojjala称,在2012年意法爱立信在TD-SCDMA市场仅占约3%的市场份额,其离开对市场影响不大,但是意法·爱立信的解体,让业内发现芯片领域的洗牌已经开始,这对中国厂商来说或许是另一种机遇。

    Sravan Kundojjala表示,LTE芯片领域需要巨额投资,未来市场上进一步的并购不可避免。从长期看,小型芯片厂商为了生存,必须加强彼此间的合作。

     另一方面,产业内一直存在着中国制造效应。这就是说,一旦国产厂商进入这个领域,整体价格将会下降,进而引发大规模的销量增长。

     对此,顾文军认为,对TD-SCDMA的兼容将成为中国芯片厂商所关注的热点。“因为TD-SCDMA是中国自行制定的标准,其中有很多知识产权属于中国企业,可以通过这些专利与TD-LTE专利持有者进行专利的交叉授权等。”

      刘先军告诉记者,2013年,基于四模十一频TD-LTE/LTE FDD/TD-SCDMA/2G基带芯片将支持终端厂商推出多种数据类产品及手持类智能终端;2014年,计划推出LTE全模产品。

     总之,对于国产芯片下一代产品的演进方向,目前主流的观点主要有三个。

     第一,高集成度。这是由产品的生命周期决定的。市场的发展使得低端终端产品的生命周期仅有3到6个月,因此高集成度的芯片能够满足终端厂商的需求。朱继志表示,高集成度高是未来发展的趋势,这是因为芯片厂商普遍存在成本压力。SoC的解决方案不仅可以降低成本,还可以提高研发效率。

     第二,多模多频。任燕表示,这是运营商和频谱方的要求。事实上,这也是目前国产芯片的一个急需突破的领域。由于目前技术有限,一些芯片厂商通常采用两个芯片实现对3G、4G的同时支持。Sravan Kundojjala也表示,“多模多频段的LTE-Advanced芯片将是芯片厂商未来成功的关键”。

    第三,多媒体的处理能力。在这个方面会有很多的技术方向,但总体来说,是因为移动互联网时代,手机成为了承载人们智能互联生活的核心。可以看到的是,手机正在吞食相机、MP3等多种数码产品的市场空间,甚至有些手机的配置已经超过了五年前的低端PC。

     事实上,TD-LTE产业链尚未完全成熟,市场格局也并没有形成。由于终端市场格局变化很快,所以导致上游企业也会受到影响。目前中国本土厂商所占市场份额的绝对值不大,产品规格仍在中低端,因此其仍有上升的空间。

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