台积电愈战愈勇 产能扩张速度翻倍
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-05-10 09:02
晶圆龙头台积电先进制程产能扩建速度一代比一代快,台积电12寸营运资深副总王建光昨(9)日表示,28纳米主力厂房中科Fab15新一期(P3与P4)的产能已在本(5)月投产,28纳米年底月产能将上看10万片,较去年底大增一倍,将达到今年28纳米总产能将较去年大增三倍的目标。
台积电28纳米从2010年6月开始投产后,两年多来市占高居不下,虽然市场仍高度关注三星、格罗方德、联电等竞争对手的卡位进度,但台积电28纳米占第1季营收24%,已是营收占比最高的制程来源,也是今年营收成长的主要动能。
王建光表示,目前台积电28纳米的量产片数,是40纳米的两倍;而Fab15厂第一、二期仅用八个月的时间,就建置五万片的月产能规模,如今第三、四期只需五个月就可再建置另一个五万片月产能。
台积电提供的28纳米制程,主要应用为智能手机、平板计算机的行动应用处理器,依照中低阶需求不同,有传统的多晶矽闸极制程(Poly Sion)与高阶的高介电常数金属闸极(HKMG)制程,预计今年第3季HKMG的高阶产能将超越传统的Poly Sion制程 ,有助进一步拉升毛利率。
除28纳米,王建光也表示,20纳米目前已投注逾2,000名人力在新竹Fab12与南科Fab14厂,Fab12第六期已预计明年量产20纳米产品;Fab14第五、六、七期则预计生产20纳米与16纳米,Fab 12第7期则将做为10纳米、7纳米研发量产基地。
在18寸晶圆部分,王建光透露近期拜访客户后,确定18寸晶圆所需的设备工具可于2016年就绪,台积电预计2016至2017 年设置试产线(Pilot-line),并将以10纳米或7纳米的制程量产。
此外,王建光强调,台积电也会续扩特殊制程的产能,包括CIS、MEMS等每年都会增加20%至40%产能。
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