第三代半导体材料及应用发展国际研讨会

第三代半导体材料及应用发展国际研讨会

时间：2013年9月5日    地点：深圳会展中心5楼会议厅-菊花厅

新型半导体材料的研究和突破，常常推动新的技术革命和产业变革，甚至催生新的产业群。以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。然而，受材料本身性能所限，用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的环境下工作，且抗辐射、耐高电压性能以及发射可见光范围都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以GaN、SiC、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的性能，使其在光电器件、高频大功率、高温电子器件等方面倍受青睐，近10年获得了高速的发展。由于其在信息存储、照明显示、电力电子以及医疗和军事等领域有着广阔的应用前景，并将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临，因此，以半导体照明典型应用突破口的第三代半导体材料同时也被誉为光电子和微电子等产业新的发动机。

第三代半导体材料及器件不仅可形成上千亿美元相关设备、系统的新产业的形成，还将在能源节约、电能利用率等方面具有重大意义。半导体照明是第三代半导体材料技术创新和市场应用的突破口之一，目前已在半导体照明领域显现出了巨大的市场潜力。近几年，世界各国政府有关机构、相关企业、以及投资公司纷纷加大了对第三代半导体材料及其器件的投入和支持，启动了大规模的GaN基光电器件商用开发计划。一些具有前瞻性的风险投资机构也密切关注该领域并加大了投资力度。我国政府也高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从2004年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013年科技部在863计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。

为了促进我国第三代半导体材料核心技术研发及在相关应用领域的产业化，开展创新应用技术研发和示范，提升我国第三代半导体材料及应用相关产业的国际竞争力，帮助企业把握新兴产业发展的契机，实现创新驱动发展，引领中国光电产业发展，国家半导体照明工程研发及产业联盟将于2013年9月5日第十五届中国国际光电博览会期间举办“首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”，邀请研发机构、企业及用户单位共聚一堂，互动交流，共同探讨第三代半导体照明材料的发展现状、趋势及前景。

2013年LED论坛通告.doc(317 KB)