Vishay PowerPAK封装MOSFET扩充Gen III P沟道产品
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-07-15 09:30
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET? Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻,是首款-40V P沟道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET。
SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关,以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器和电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先,使设计者能够在电路里实现更低的压降,更有效地使用能源,并延长电池使用时间。
在需要更高电压的应用里,3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合,SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)导通电阻,采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。
SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。
- •Vishay近日将启动威世电阻学院计划2016-11-02
- •Vishay 推出新款Power Metal Strip?电阻2016-02-23
- •Vishay推出用于平板电视和便携电子设备的新款环境光传感器2016-02-19
- •Vishay推出新款超薄BiSy单路ESD保护二极管2016-02-17
- •Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积2016-02-16
- •2015年全球功率半导体市场规模减少7.0%2016-02-16
- •Vishay的ENYCAP?系列混合ENergY储能电容器荣获《Electronic Products》年度产品称号2016-01-25
- •大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET2016-01-21
- •Vishay新款三相桥式功率模块可提高系统可靠性并同时降低生产成本2016-01-18
- •Vishay新款双列直插薄膜电阻网络可实现高精度分压器2015-12-28