IGBT市场空前活跃，中韩厂商成“不稳定因子”

IGBT市场空前活跃，中韩厂商成“不稳定因子”

       2012年电力设备市场衰退，尤其是IGBT市场惨跌25%，主要是由于以下几个原因：

1）2012年欧洲各国政府紧缩对再生能源的补助，风力发电机及太阳能安装量骤跌；

2）2012年中国减缓风力发电机的安装速度；

3）2012年中国高铁事故导致高铁的生产喊停

4）全球经济复苏速度不如预期的快，进而影响消费性市场买气。

      此外，受到日本地震及海啸的影响，导致系统制造商争取订单货源。综合上述因素，造成2011年IGBT产能过剩，IGBT市场也为此在2012年及2013年初付出了代价。　　

      与SiC、GaN三分天下，IGBT转移至中低端解决方案

     此外，IGBT市场还面临着来自外部的竞争压力。通过观察IGBT的同类元器件的趋势，注意到发生了很多技术演进。

      事实上，IGBT驱动器领域从来没有像今天这般活跃过：有一大堆的新兴厂商推出具有更佳设计灵活性及效能的解决方案；其他一些厂商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的设计。越来越多的厂商将心力投注到功率模块封装的解决方案上。　

    不过，IGBT已经不再是高端电子设备的唯一解决方案了。SiC器件已经量产，GaN器件也进入试产阶段。应用版图已经十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太阳能变频器已经诞生，高压和低压应用市场分别被SiC和GaN技术占据，IGBT则逐渐转移至中低端解决方案。

      如今，对高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍处于发展及改善阶段：更薄的晶圆，更高效率的生产，功能整合等等。因此，Yole认为IGBT市场并没有进入弥留之际或是衰退期。不，绝不是，IGBT市场的商机无限。