Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件，占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的电压降，更高效地使用电能，延长电池使用寿命。
在节省PCB空间是首要因素的应用里，-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低导通电阻，而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封装具有明显优势。当需要更高的电压等级时，-20 V Si5415AEDU可满足需求，具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低导通电阻。两款器件的典型ESD保护为5000V。对于需要极低导通电阻的应用，SiSS23DN的4.5m?(-4.5V)和6.3m?(-2.5V)导通电阻可满足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装的高度低至0.75mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件规格表：
|
器件型号 |
Si5411EDU |
Si5415AEDU |
SiSS23DN | |
|
VDS (V) |
-12 |
-20 |
-20 | |
|
VGS (V) |
± 8 |
± 8 |
± 8 | |
|
RDS(ON) (m?) @ |
4.5 V |
8.2 |
9.6 |
4.5 |
|
3.7 V |
9.4 |
- |
- | |
|
2.5 V |
11.7 |
13.2 |
6.3 | |
|
1.8 V |
20.6 |
22.0 |
11.5 | |
|
封装 |
PowerPAK ChipFET |
PowerPAK ChipFET |
PowerPAK 1212-8S | |
Vishay的P沟道Gen III系列包括60余款器件，占位面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。
新款P沟道MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。