三星业界首款8Gb低功耗LPDDR4锁定高端旗舰手机
三星(Samsung)30日发布业界首款8Gb的低功耗第四代双倍资料率(LPDDR4)行动动态随机存取记忆体(Mobile DRAM)。为符合未来高阶行动装置将渐渐往64位元处理器、超高解析度(UHD)萤幕等高规格设计靠拢，三星针对此需求开发出高传输速率、高效能、高记忆体密度容量的8Gb LPDDR4记忆体，期能率先插旗未来的超高阶行动装置市场版图。
三星电子记忆体业务与行销部门执行副总裁Young-Hyun Jun预期，这款次世代的LPDDR4 DRAM将刺激DRAM市场快速成长，三星更预期它未来将成为该市场中市占最多的产品，席卷整个DRAM市场。三星亦将持续以先进技术带领DRAM产业前进，并协助全球的原始设备制造商(OEM)业者能以此高效能的DRAM晶片开发出先进的高规行动装置。
据了解，三星8Gb LPDDR4系采用20奈米(nm)制程，在单一晶粒(Die)上具有1GB的储存空间，这也是目前市场中最高密度储存容量的DRAM产品；而三星也将透过四片8Gb LPDDR4晶粒封装成一具有4GB大容量的LPDDR4 DRAM。
三星8Gb LPDDR4行动DRAM除在单一晶片密度储存容量有所提升外，还可提供比现有低功耗第三代双倍资料率(LPDDR3)记忆体高出约50%的效能，以及功耗降低约40%的表现，可满足未来高阶智慧型手机、平板机种将渐渐往64位元处理器靠拢的高规格需求。
此外，三星8Gb LPDDR4亦采用低电压摆幅中断逻辑(Low-voltage Swing Terminated Logic, LVSTL)输入/输出(I/O)介面，该项技术经由三星向固态技术协会(JEDEC)申请而成为LPDDR4 DRAM的标准规格。基于LVSTL介面，LPDDR4晶片的资料传输率可达3200Mbit/s，是目前采用20奈米制程之LPDDR3 DRAM晶片的两倍。
三星表示，该产品未来将锁定高阶行动装置市场，包含大萤幕的超高解析度智慧型手机、平板电脑及超薄型笔记型电脑(Ultra-slim Notebook)，以及部分讲究高性能表现的网络系统。
据了解，三星已于2013年11月发布全球体积最小的6Gb LPDDR3且封装后记忆体容量可达3GB的DRAM模组，而这款8Gb LPDDR4亦将在2014年正式出货，竞相问世的次世代DRAM将让三星在该市场的竞争力更加如虎添翼。
三星电子记忆体业务与行销部门执行副总裁Young-Hyun Jun预期，这款次世代的LPDDR4 DRAM将刺激DRAM市场快速成长，三星更预期它未来将成为该市场中市占最多的产品，席卷整个DRAM市场。三星亦将持续以先进技术带领DRAM产业前进，并协助全球的原始设备制造商(OEM)业者能以此高效能的DRAM晶片开发出先进的高规行动装置。
据了解，三星8Gb LPDDR4系采用20奈米(nm)制程，在单一晶粒(Die)上具有1GB的储存空间，这也是目前市场中最高密度储存容量的DRAM产品；而三星也将透过四片8Gb LPDDR4晶粒封装成一具有4GB大容量的LPDDR4 DRAM。
三星8Gb LPDDR4行动DRAM除在单一晶片密度储存容量有所提升外，还可提供比现有低功耗第三代双倍资料率(LPDDR3)记忆体高出约50%的效能，以及功耗降低约40%的表现，可满足未来高阶智慧型手机、平板机种将渐渐往64位元处理器靠拢的高规格需求。
此外，三星8Gb LPDDR4亦采用低电压摆幅中断逻辑(Low-voltage Swing Terminated Logic, LVSTL)输入/输出(I/O)介面，该项技术经由三星向固态技术协会(JEDEC)申请而成为LPDDR4 DRAM的标准规格。基于LVSTL介面，LPDDR4晶片的资料传输率可达3200Mbit/s，是目前采用20奈米制程之LPDDR3 DRAM晶片的两倍。
三星表示，该产品未来将锁定高阶行动装置市场，包含大萤幕的超高解析度智慧型手机、平板电脑及超薄型笔记型电脑(Ultra-slim Notebook)，以及部分讲究高性能表现的网络系统。
据了解，三星已于2013年11月发布全球体积最小的6Gb LPDDR3且封装后记忆体容量可达3GB的DRAM模组，而这款8Gb LPDDR4亦将在2014年正式出货，竞相问世的次世代DRAM将让三星在该市场的竞争力更加如虎添翼。