中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程

中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程

　　中芯国际集成电路制造有限公司38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度 NAND 闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。

　　NAND 闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38纳米 NAND 闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网(IoT)、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。客户也可利用此技术带动串行外设接口(SPI)NAND 市场的发展以及不断增长的 IoT 相关产品的应用。此次中芯国际成功推出38纳米 NAND 闪存技术，能够帮助客户满足中国及全球市场对此技术的需求。

　　中芯国际技术研发执行副总裁李序武博士表示，“此前中芯国际已开发出一系列从130纳米到65纳米的特殊 NOR 闪存平台。经过研发团队专注及系统的努力，我们成功推出了38纳米 NAND 闪存，在技术多元化方面取得重要进展，也为后续开发更先进的2x/1x纳米及3D NAND 闪存奠定了稳固的基础。我们将继续努力推进 NAND 闪存技术的开发，以满足无晶圆厂客户对高质量标准的要求。”

　　中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“这一重要里程碑对中芯国际以及特殊存储器客户及合作伙伴，都具有重大的战略性意义。对客户来说，中芯国际显示了其在非易失性存储技术开发方面的决心和能力。此外，还证明中芯国际有足够的实力在精心选择的细分市场确立领导地位。”

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