SK海力士着手研发次世代存储器

SK海力士着手研发次世代存储器

　　SK海力士(SK Hynix)将PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存储器芯片列为新成长动能，2015年会先决定要将次世代产品应用在何IT装置上，以确定发展方向。

　　据南韩每日经济报导，SK海力士表示将PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列为次世代半导体。2015年将先明确订定产品制造方向，再着手研发合适的制程技术。

　　所谓的次世代半导体，是指DRAM、NAND Flash所代表的存储器芯片，在功率、容量等规格升级的半导体产品。SK海力士与IBM、东芝(Toshiba)等携手合作，以2~3年内商用化为目标进行研发。

　　与NAND Flash相比，PCRAM在一般资料读写速度方面快100倍以上，耐用性更提升1,000倍，SK海力士正与IBM合作进行研发。

　　SK海力士的STT-MRAM研发伙伴为日系大厂东芝。STT-MRAM是能以超高速、低功率驱动，即使不供应电力，也能保存资讯的非挥发性存储器。此外，STT-MRAM可采用10纳米以下制程。

　　SK海力士与惠普(HP)合作研发的ReRAM亦属非挥发性存储器，可应用在要求高速驱动、大容量、低功率的装置上。

　　SK海力士迅速对次世代半导体展开因应，是为了掌握存储器主导权。近来同为韩系半导体大厂的三星电子(Samsung Electronics)已确保10纳米制程技术，巩固技术领导力，而SK海力士的主力制程仍在20纳米级。

　　南韩业界认为，在难以缩短与三星间制程技术差距的情况下，SK海力士改以差别化寻找生存之道。而差别化的核心就在于PCRAM等次世代半导体。

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