三星将向记忆类半导体投资百亿美元

　　各行业巨头为即将到来的物联网浪潮投入甚多，三星半导体部门资深副总裁Jeeho Baek周四就表示，今年在记忆体类半导体投资规模将比照去年，估计最高将达100亿美元之谱。Baek指出，DRAM与NAND记忆体产出比重规划为7比3，但会视市场需求作弹性调整。

　　由于看好未来需求，三星对记忆体项目的投资一点都不手软，其位在南韩华城，也是三星目前记忆体晶片的主要生产基地，年底还有一座新厂将准备投产。

　　另外，三星日前也宣布加码在南韩平泽(Pyeongtaek)盖新厂区，总投资规模来到25.6兆韩圜。新工厂预计下个月动工，主要也是生产DRAM记忆体，但视市况，也可生产处理器晶片。

　　报导还指出，三星也打算增产3D V-NAND记忆体，搭载3D V-NAND的固态硬碟预计下半年就会商业化。据IHS调查，三星去年SSD营收40亿美元，是第二名英特尔的两倍多。

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