ROHM开发出实现业界最低※VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管“SCS3系列

ROHM开发出实现业界最低※VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管“SCS3系列

 全球知名半导体制造商ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管(以下称“SiC-SBD”)“SCS3系列”。

　　本产品采用新结构，不仅继承了量产中的第2代SiC-SBD所实现的业界最低正向电压※2(VF=1.35V、25℃)的特性，同时还确保了高抗浪涌电流特性。因此，还可用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路，非常有助于提高应用的效率。

　　本产品已于2016年3月开始出售样品，计划于2016年4月开始逐步投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为ROHM Korea Corporation(韩国)。

　　今后，ROHM将通过扩大SiC元器件产品的阵容，继续为电力电子设备的节能化作出贡献。

＜背景＞

近年来，在太阳能发电系统、工业用各种电源装置、电动汽车及家电等电力电子领域，为提高功率转换效率以实现进一步节能，更高效率的功率元器件产品备受期待。SiC器件与以往的Si器件相比，具有优异的材料特性，在这些领域中的应用日益广泛。尤其是在服务器等这类要求更高电源效率的设备电源中，SiC-SBD产品因其快速恢复特性可有效提高效率而被用于PFC电路来提高设备效率。在这些用途中，抗浪涌电流^※3特性成为重要的参数。一直以来，ROHM的第1代、第2代SiC-SBD产品均深获客户好评。为了进一步扩大应用范围，ROHM 采用新产品结构，成功开发出保持业界最高水平的低V_F特性、并实现高抗浪涌电流特性的产品。

＜特点＞

1.保持低V_F特性，实现高抗浪涌电流能力

此次开发的第3代SiC-SBD“SCS3系列”，为实现高抗浪涌电流能力，采用了JBS（Junction Barrierschottky）结构。以往的结构是可有效提高抗浪涌电流能力、并改善泄漏特性的结构，而ROHM的第3代最新产品，不仅具备以往产品的特点，而且还进一步改善了第2代SiC-SBD所实现的低V_F特性，将作为更高性能的产品大展身手。

2.实现业界最低的正向电压（V_F=1.35V/25℃、1.44V/150℃）

ROHM的第2代SiC-SBD，通过改善工艺和产品结构，实现了业界最低的正向电压。在高温条件下，本产品的V_F值比第2代产品更低，导通损耗更低，效率更高。

3.低泄漏电流特性

一般情况下，降低正向电压会导致反向漏电流增加，而ROHM的第3代最新SiC-SBD产品采用JBS结构，成功减少漏电流并降低正向电压。本产品在额定电压下的漏电流与第2代SiC-SBD相比，低至约1/20(650V、Tj=150℃时)。

＜应用＞

计算机、服务器、空调等高端电源设备内的PFC电路

＜术语解说＞

※1 PFC电路　(Power Factor Correction)

将电源产生的高次谐波电流控制在某范围以内，抑制峰值电流以期进一步节能的电路。

※2　正向电压(V_F)

电从+向-流动时产生的电压下降。该值越低越有助于效率提升。

※3 浪涌电流

雷击等导致的电源电路等瞬间产生的超出常态的电流。

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