陆厂研发脚步迅速 预计2018年量产3D NAND

陆厂研发脚步迅速 预计2018年量产3D NAND

　　红色供应链来势汹汹，外界原本认为，陆厂要到四五年后才能在记忆体抢下一席之地，不过有分析师预测，陆厂研发脚步迅速，可能2018年就能量产3D NAND。

　　巴伦(Barronˋs)6日报导，美系外资晶片设备分析师Atif Malik称，中国透过Rambus和Spansion取得DRAM和NAND记忆体的技术授权。2月份，Spansion和武汉新芯(XMC)签订3D NAND研发和交叉授权协定。由武汉新芯出资、Spansion提供电荷储存式(Charge trap)和浮闸(Floating Gate)的NAND IP。Malik表示，他们相信2017年底就能取得48层3D NAND的验证，2018年进行量产。

　　目前只有三星有能力量产48层3D NAND，另一记忆体大厂SK海力士预料要到今年下半才能生产。

　　与此同时，Malik也指出，中国投入半导体市场，对设备商来说短多长空。中国砸钱大买设备建厂，应用材料(Applied Materials)、Lam Research一开始有望受惠。但是长期而言，设备业者将流失非中国业者订单。这是“零和游戏”，中国订单大增，表示其他记忆体和晶圆代工大厂需要减少资本开支。(注：零和游戏/zero sum game，一方获利意味另一方将蒙受损失、两者相加的总和永远为零)

　　他强调，中国加入不会扩大全球半导体设备支出，因为中国向半导体的三大资本开支大厂，采购大量晶片。这三大业者分别是台积电(2330)、英特尔、三星电子。中国计划2020年前，国内消费的40%晶片改为自制。

　　巴伦(Barronˋs)网站4月12日报导，Bernstein分析师Mark Newman表示，记忆体业者自相残杀，等到中国厂商进入市场，情况将急转直下。报告称，中国可能是足以颠覆市场的竞争者，他们财力雄厚，等到供给上线后，市况将惨不忍睹。武汉新芯(XMC)的3D NAND技术大约落后领先厂商4~5年，他们打算狂烧资本加紧追赶，等到量产之后，市场供给过剩将更加恶化。

　　巴伦(Barronˋs)网站、韩媒etnews 4月报导，Brean Capital的Mike Burton表示，目前只有三星有能力制造3D NAND，其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND采用较旧制程(35~50奈米)，业者能以较低成本、提高产能。英特尔主管David Lundell表示，预计大连厂会在今年底量产3D NAND。

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