未来存储装置发展趋势 3D NAND Flash有望成主流

未来存储装置发展趋势 3D NAND Flash有望成主流

　　存储器业者开始集中对3D NAND Flash进行投资，未来3D NAND Flash可望成为储存装置的主流。预估从2017年起，市场上将会出现许多采用3D NAND Flash的大容量手机与PC储存设备。

　　据ET News报道，3D NAND Flash具有比2D NAND更高的速度与稳定度，三星电子(SamsungElectronics)在Galaxy S7上，首度搭载3D NAND Flash技术的通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)芯片。

　　东芝(Toshiba)决定在日本三重县四日市增建一座3D NAND Flash工厂，未来3年总计将投资3,600亿日元(约33.27亿美元)。由于尚未确定是否与新帝(闪迪)共同合资，工期与产能目前无明确消息。

　　2014年9月东芝曾宣布拆除原本的四日市工厂(200mm)，将其改建为300mm厂房，用于进行3D NAND Flash量产，厂房的完工与量产时程订在2016年上半。此刻传出东芝将再度投资建设新厂，业界认为，东芝有意集中全力发展3D NAND Flash。

　　SK海力士目前完成48层3D NAND Flash的研发，位于韩国清州的M12厂将正式转换成生产3D NAND Flash的厂房，目前已开始进行36层3D NAND Flash存储器量产，规划将每片矽晶圆切割为3万片。

　　此外，SK海力士位于韩国利川的新厂房M14共有两层楼，2016年已开始进行无尘室的建设，未来这里也将用于3D NAND Flash的量产。

　　美光(Micron)目前正将位于新加坡的2D NAND Flash工厂10X转换为3D专用厂房，计划在2016年中之后启动量产体系。

　　英特尔(Intel)在大陆大连投资6.5兆韩元(约56.84亿美元)，将系统半导体工厂转换成3D NAND Flash工厂，预定2016年下半启动量产。未来英特尔也可能在此生产与美光共同研发的3D XPoint存储器。

　　最早建立3D NAND Flash量产体系的三星也决定追加投资。目前在大陆西安工厂已是10万片的产能全满。业界预估，2017年三星位于韩国平泽厂的18产线，也会加入量产3D NAND Flash的行列。

　　业界表示，2016年下半以后，所有半导体业者都将具备量产3D NAND Flash的生产能力，因此搭载3D NAND Flash的手机与固态硬盘(SSD)出货量将爆发式成长。

　　上游设备业界也可望受惠于3D NAND Flash带动的投资热潮。专家预测，在3D NAND Flash堆叠的制程中，用于蚀刻与蒸镀的设备需求将会成长;2016年用于垂直堆叠构造中，检验晶圆的设备也可望进入商用化。

　　但在DRAM方面，由于DRAM的价格持续下跌，业者除了进行小规模投资，用于制程转换之外，似乎没有大规模的新增投资计划。

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