台湾晶圆双雄台积电联电资本支出仍在高档位

台湾晶圆双雄台积电联电资本支出仍在高档位

　　尽管10月北美半导体设备制造商接单出货比(B/B值)跌至1以下，晶圆双雄台积电与联电今年资本支出仍将维持高档，对台湾地区半导体业供应链具稳定推升效果。

　　台积电预估，本季合并营收介于新台币2,550亿到新台币2,580亿元，季减约0.9%到2%，淡季不淡，优于市场预期，预期今年合并营收年增率达11%至12%，优于原预估的5%至10%，再写历史新高。相较内部预估今年全球半导体业产值年增率仅1%，台积电远优于业界表现。

　　资本支出方面，台积电仍维持今年原预估的95亿至105亿美元区间，实际值有望落于略高于95亿美元。

　　台积电今年的资本支出，主要用于建置10纳米产量、7纳米试产线，及5纳米研发。其中，10纳米制程本季量产，明年第4季开始产出7纳米，预料整体资本支出也会维持高档，因此B/B值跌落1，应是部分厂商在高速扩张后，态度转趋保守。

　　联电今年配合8寸产能增加及厦门联芯半导体的投资，以及在南科设立利基型DRAM实验线，今年资本支出也由去年的18亿美元增至22亿美元，随联芯本月正式量产，明年产能持续扩充，预料会维持和今年相近水准。

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