走近大陆晶圆代工龙头 全面解读中芯国际

走近大陆晶圆代工龙头 全面解读中芯国际

　　布局新技术，未来的成长来源

　　现在的中芯国际也正在新技术上进行研发。如启动14nm研发，预计2018年投入风险性试产，突破国际技术封锁，自力更生寻出路。

　　目前一代的FinFET工艺中，TSMC是16nm节点，三星、Intel各自开发了14nm FinFET工艺，GlobalFoundries则使用了三星的14nm工艺授权。由于受到出口限制，我们只能选择自己开发，15年中比利时国王访华时，华为、高通、中芯国际及比利时微电子中心宣布合作开发14nm工艺，中芯国际现在建设的12英寸晶圆厂就是为此准备的，预计最早2018年投入风险性试产。

　　上海的12英寸晶圆厂不止会上14nm工艺，未来还会升级10nm以及7nm工艺。

　　台积电、三星和中芯国际制程概况

　　2016年四季，公司宣布在上海开工建设新的12英寸晶圆厂，投资超过675亿人民币，明年底正式建成，这座工厂将使用14nm工艺，这是中芯国际最先进、同时也是大陆最先进的制造工艺。新的12吋生产线项目预计总投资超过100亿美元，将通过合资方式建设未来每个月可容纳7万片的产能规模。公司董事表示，在加速研发过程中，力争在2018年底实现突破。

　　另外，45/40nm进军PRAM存储，蚕食三星份额。

　　中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂。40纳米标准逻辑制程提供低漏电(LL)器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件 2.5V电压(超载 3.3V， 低载1.8V)以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及超低介电常数介质。此技术实现了高性能和低功耗的完美融合，适用于所有高性能和低功率的应用，如手机基带及应用处理器，平板电脑多媒体应用处理器，高清晰视频处理器以及其它消费和通信设备芯片。

　　40nm工艺组件选择

　　携手Crossbar，进入PRAM存储领域。公司与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar，共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。作为双方合作的一部分，中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议，基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。

　　价格竞争加剧和固定资产加速折旧，2017年营收占比预降1-2%。我们估计在2017/18年，45 / 40nm将占销售额的24%/ 24%。由于价格竞争激烈和固定资产的加速折旧，我们预计2017年45 / 40nm工艺将同比下降1-2个百分点。2017/18年 45 / 40nm产能的减少将转化为28nm产能增加。

　　重视技术落地，应用领域不断拓宽

　　中芯国际精通技术移植的应用、多领域解决方案陆续推出。该公司同行专注于在先进的数字逻辑部分的竞争，而中芯国际的战略是有选择的研发突破并领导相应细分领域技术，同时坚持投资先进的数字逻辑技术。公司将其制程工艺广泛应用于CMOS图像传感器 (CIS)、多元化eNVM技术平台、IoT Solutions、混合信号/射频工艺技术、面板驱动芯片(DDIC)、CMOS 微电子机械系统以及非易失性存储器等领域。公司通过陆续推出新技术，巩固已有市场份额，同时获得新的市场份额。

　　技术移植的应用

　　陆续推出新的应用产品

　　1)CMOS图像传感器 (CIS)

　　CMOS图像传感器产业保持高速增长。在移动设备和汽车应用的驱动下，2015年~2021年，CMOS图像传感器(CIS)产业的复合年增长率为10.4%，预计市场规模将从2015年的103亿美元增长到2021年的188亿美元。运动相机似乎已经达到市场上限，但是新的应用，如无人机、机器人、虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等，正促使CMOS图像传感器市场焕发新的生机。

　　与此同时，汽车摄像头市场已经成为CMOS图像传感器的一个重要增长领域。先进驾驶辅助系统(ADAS)的发展趋势进一步提高对传感器供应商的压力，以提升其传感技术能力。图像分析是新兴需求，并且人工智能的早期应用正吸引众人的目光。预计2015年-2021年，汽车CMOS图像传感器市场的复合年增长率将高达23%。因此，我们认为2021年之前，全球CMOS图像传感器的市场增长不会出现放缓的趋势。公司作为CMOS头像传感器晶圆制造企业，是产业的关键节点，未来将受益于行业增长，分享行业红利。

　　中芯国际的CMOS图像传感器增长状况

　　公司拥有十年以上在CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor， CIS)的制造经验。目前，中芯国际为客户提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技术。同时我们也可以为客户提供从晶片、 彩色滤光片、微透镜到封装测试的一站式服务。

　　公司已于2016年成功开发0.11微米CMOS 图像传感器(CIS)工艺技术，在此工艺下生产的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。