台积电公开答复东芝竞标案和3nm厂选址的问题

　　台积电13日的法说会中，针对近期两大热门议题：日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址，一一对外界做最新的回覆。

　　自从台积电董事长张忠谋公开表示，考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后，台积电对该案的态度备受市场关注，尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。

　　台积电13日指出，内部确实评估过该案，但最后决定不去参与竞标，主要是两大原因，第一，内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样，第二是认为这样做并没有太多综效，因此，台积电没有参与，且强调假使台积电参与其中，也会自己去竞标，不会是呼朋引伴的景象，间接否认和鸿海一同竞标的猜测是不正确的。

　　针对记忆体技术的布局，台积电表示，对于标准型独立式的记忆体晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并没有兴趣，但是对于嵌入式记忆体技术的布局，则是下了很大功夫。

　　台积电目前是全球最大的嵌入式记忆体技术提供者，用在逻辑制程平台上，做晶圆代工，像是新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等，台积电都有这些嵌入式记忆体技术，且因为28奈米以下，传统的嵌入式记忆体技术会有瓶颈，MRAM是很好接棒的技术人选，台积电已经在提供该技术使用在逻辑制程上了!

　　针对另一个热门议题，也就是台积电3奈米制程的选址案，因为之前传出台积电基于稳定和充足的水、电供应考量，有意到美国设立3奈米制程晶圆厂。

　　台积电指出，延续之前董事长张忠谋说法，不排除任何可能性，但在美国设晶圆厂并不是最理想的选择，希望有更多地点可以选。

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