联发科传将投单GF 22纳米FD-SOI制程 待蔡力行拍板定案

联发科传将投单GF 22纳米FD-SOI制程 待蔡力行拍板定案

　　近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程，联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗，考虑投单GlobalFoundries最新一代22纳米FD-SOI制程，该计划将待6月新上任的共同执行长蔡力行拍板定案。

　　联发科在中、高阶市场被高通(Qualcomm)堵住，在中、低阶市场又遇到紧迫盯人的展讯，面临前后遭夹击的命运，虽然联发科与台积电合作10纳米制程，欲突围高阶市场，但因设计规格追不上高通，且量产时程一再推迟，使得联发科抢攻高阶10纳米之役不算成功。

　　反观展讯与英特尔(Intel)合作越来越紧密，在连开两颗14纳米高阶芯片之后，可能往中、低阶市场扩大合作。近期联发科传出考虑换战线，借以甩开与展讯的缠斗，联发科看好在大陆极为火红的FD-SOI制程，成为主流FinFET技术外的另一股崛起势力。

　　目前FD-SOI制程的拥护者包括GlobalFoundries、三星电子(Samsung Electronics)，以及大陆晶圆代工厂华力微等，都有评估投入的迹象，其中，GlobalFoundries宣传最卖力，连续擘划22纳米和12纳米两世代的FD-SOI技术。

　　供应链业者指出，联发科内部评估在GlobalFoundries开一颗22纳米FD-SOI制程芯片，主打中、低阶手机芯片市场，这将是28纳米平面式电晶体(Planar CMOS)和16/14纳米FinFET两大技术以外的另一个新战场，并避开Planar CMOS功耗高、FinFET成本高的缺点，利用FD-SOI制程的低功耗、低漏电、低成本优势，开创中、低阶手机芯片领域新局。

　　联发科该计划就等蔡力行拍板定案，蔡力行将提前在7月上任联发科共同执行长，由于联发科和台积电近期因为采用10纳米制程的X30芯片出货延迟，让联发科公开抱怨10纳米良率太低，蔡力行上任之后，联发科的晶圆代工策略是市场关注焦点之一。

　　在中、高阶手机芯片，联发科也考虑到台积电新推出的12纳米投单，未来在技术划分上，12/14/16纳米FinFET主打中、高阶芯片，22/28纳米主打中、低阶芯片，其中22纳米将是FinFET、Planar和FD-SOI三大技术分水岭，英特尔22纳米是FinFET制程，台积电22纳米是28纳米Planar微缩，而GlobalFoundries的22纳米是FD-SOI制程。

　　事实上，FD-SOI制程曾被台积电、英特尔等大厂内部评估过，最后还是选主流的FinFET技术，依循摩尔定律微缩下去，但FD-SOI势力这两年在大陆卷土重来，主要是具备低功耗优势，在物联网(IoT)、车用电子上极为适合，GlobalFoundries更宣布在成都兴建新的FD-SOI专属12吋晶圆厂。

　　三星也推出28纳米FD-SOI制程，拿下恩智浦SoC芯片代工订单，预计2019年推出下一代18纳米FD-SOI技术，与GlobalFoundries一同炒热大陆FD-SOI市场，未来若联发科正式采用，将使得FD-SOI技术不仅用在物联网、车联网等领域，在手机芯片领域亦将另辟蹊径。

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