力旺电子推出最新车规嵌入式EEPROM IP编写次数达50万次以上

力旺电子推出最新车规嵌入式EEPROM IP编写次数达50万次以上

　　力旺电子最新推出编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM(电子抹除式可复写唯读记忆体)硅智财(Silicon IP)，符合高温、耐用及生命週期长的车规标準，为力旺在车用电子市场的最新佈局。

　　这项强化版IP是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新产品。新版IP编写次数是塬版的数十倍，编写/抹除(Program/Erase)时间则缩减近半，资料保存期限在150°C高温操作下可达10年。

　　新版NeoEE与现有逻辑製程及车规常用的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)製程完全相容，无需外加光罩即可整合至不同类型之製程平台。这项IP已通过晶圆厂0.18um/5V製程平台的验证，力旺已着手佈建这项技术至其他5V平台。

　　强化版NeoEE非常适合有高编写需求的应用，包括指纹辨识、智慧卡、NFC、RFID，电源管理IC和微处理器等。此外，这项IP的耐受度(endurance)、高温操作及生命週期完全依照AEC-Q100的车规标準设计，并通过严格的测试。

　　可编写记忆体经过重复编写后，稳定度会逐次递减，主要是因为重复编写会改变记忆体的电子分布，导致编写和抹除位元间的讯号差异愈来愈不明显，最后终至无法分辨。

　　力旺电子的嵌入式非挥发性记忆体(Non-volatile Memory)硅智财市占率领先全球，已累积十多年的量产经验。此次力旺透过优化记忆体单元架构及採用新的编写/抹除运算法，减轻重复编写造成的记忆体损耗，大幅提升NeoEE的重复编写能力至50万次以上。

　　强化版NeoEE经过长达2,500个小时150°C高温测试后，编写和抹除位元状态依旧稳定，并无电流(压)增加或流失的现象。

　　NeoEE结构简单，抹写次数可高达1千至50万次以上，最高容量达16K bits，可操作温度区间为-40~150°C，资料保存期限长达10年。

　　由于与现有逻辑製程完全相容，NeoEE无需外加任何光罩即可整合至不同类型之製程平台，代工厂导入成本极低且可节省产品开发时间。另外，NeoEE还具备低功率消耗的优点。

　　NeoEE 硅智财以标準5V MOS製程平台为开发基础，容易整合至车用电子常使用的高压(HV) 及BCD等製程平台。从成本及安全角度考量，结构简单、安全的NeoEE是取代传统外挂式EEPROM的理想选择。

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