GF双管齐下策略：成都的12英寸圆晶厂将使用FD-SOI工艺

GF双管齐下策略：成都的12英寸圆晶厂将使用FD-SOI工艺

　　Globalfoundries在成都的12英寸圆晶厂已经开始动工，这个新圆晶厂在2018年下半年就会投产，这座圆晶主要使用FD-SOI技术，所生产出来的芯片并非用于我们熟知的显卡，处理器等产品，Globalfoundries在成都圆晶的投资仅仅是有助于支援中国不断成长的无圆晶厂半导体产业。

　　GF副总裁Morgenstren表示公司已经为不同的应用市场制定了两个不同的技术发展路线，首先14nm LPP/12nm LPP/7nm LPP FinFET工艺用于制造传感器，显卡GPU，高端智能手机SOC，网络通讯和高级驾驶辅助系统的高性能芯片。FD-SOI工艺技术用于制造嵌入式存储器，高性价比的低功耗无线通讯芯片，这类芯片适用于中低端智能设备，物联网，汽车电子设备等。

　　GF旗下的圆晶厂有两家是使用FD-SOI工艺的，除了上面提到的位于成都的12英寸圆晶厂外，还有德国德累斯顿12英寸圆晶厂。德国德累斯顿圆晶厂主要为欧洲汽车市场制造芯片，而在成都的12英寸圆晶厂则致力于物联网和5G应用的IC制造。德国德累斯顿圆晶厂已经开始小规模量产22nm FD-SOI芯片，技术芯片将很快应用在终端产品上。Morgenstren表示22nm FD-SOI工艺相当于14nm polySiON/HKMG工艺，成本和28nm polySiON/HKMG工艺相当，而12nm的 FD-SOI成本会和16nm polySiON/HKMG工艺差不多，但性能却等于10nm polySiON/HKMG工艺。

　　GF在2018年开始会将22nm FD-SOI技术转移到成都的12英寸圆晶厂中，2019年下半年就会量产22nm FD-SOI圆晶，根据Morgenstren的说法，GF将投资一亿美元成立一个FDX FD-SOI设计服务中心，并建立一个EDA/IP生态系统。

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