台媒：发改委约谈三星用意 大陆谋求突破口

台媒：发改委约谈三星用意 大陆谋求突破口

　　上个月市场传出发改委因不满记忆体价格持续上扬而约谈Samsung的消息。此举有两个观察点，一是2016年下半年以来连续6季价格上涨的记忆体价格，特别是DRAM的部分，确实对大陆下游应用领域如智慧型手机业者的获利产生压缩，更不时出现缺货或是需祭出降低搭载记忆体容量的动作。

　　二是大陆发展记忆体产业更深一层的策略手法，在官方约谈韩系厂商过后，未来是否进一步祭出反垄断调查，藉此与韩系厂商进行交涉空间，意即避免今年底前即将释出产能的大陆记忆体厂遭到国际记忆体厂的专利权侵权控诉，值得持续观察。毕竟包括韩系、美系记忆体厂商对于大陆记忆体厂正在虎视眈眈，企图藉由绵密的专利网来阻挠其进行量产，大陆也正在谋求突破口。

　　全球记忆体市场去年以来呈现价量齐扬的走势，不论是DRAM或是NAND Flash、NOR Flash，皆因供给端的释出未如预期而使整体结构呈现供不应求，自然推升价格的上涨，DRAM价格去年上升37.6%，NAND Flash亦有12.4%，而且去年全球半导体市场销售额首度冲破4000亿美元大关，年成长率近两成，更让记忆体成为去年全球半导体产品项目的最大宗，占比达30.7%。

　　全球记忆体仍由韩系厂商掌控，以去年第3季南韩在行动式记忆体、DRAM、NAND Flash占比分别高达85.6%、75.1%、47.1%，去年南韩已顺利超越台湾跃居为全球第2大半导体供应国，仅次于美国。

　　紫光集团董事长赵伟国去年在第4届世界互联网大会上表示，紫光已经研发出32层64G的完全自主知识产权的3D NAND Flash，今年将会实现量产。另外福建晋华则是携手联电抢攻利基型DRAM市场，今年9月月产能可望达到6万片12吋晶圆的生产规模。还有合肥睿力与兆易创新阵营，将投入180亿元人民币研发19奈米DRAM技术。

　　大陆业者从Samsung、SK Hynix、华亚科、南亚科不断挖角记忆体相关工程与技术人才，但受限于记忆体专利仍掌握在韩系与美系大厂手中，且紫光集团与武汉新芯、福建晋华、合肥睿力与兆易创新尚未取得上述主要国际大厂的技术授权合作，仅有武汉新芯在2015年初与Spansion合作，展开3D NAND Flash技术开发，况且先前兆易创新收购美系利基型记忆体设计公司ISSI破局，因而未来大陆记忆体新进业者，量产技术挑战仍大。

　　更何况Micron先前已大动作在美国提出民事诉讼，控告福建晋华侵犯其营业机密，预料Samsung、SK Hynix未来更将高度检视大陆记忆体晶片是否侵犯其专利，毕竟国际记忆体厂商并不希望目前掌握全球大宗市场的局面遭到中国侵蚀，南韩政府亦将记忆体技术视为重要关键技术与资产。这次发改委约谈Samsung，有可能是破解国际厂商企图围堵中国3大记忆体阵营的策略。

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