美光、英特尔为何分手？对未来NAND技术的发展看法不一致

　　偶像剧中恋人最常见的分手原因是什么?除了狗血的出轨、小三之外，最大的可能就是“你很好，但我们不合适”，说明两个人对未来的看法不一样了。英特尔、美光本来在NAND领域是令人羡慕的杨过小龙女，不过今年1月份两家也宣布未来将和平分手。至于分手的原因，现在才有消息称这是因为双方对未来NAND技术发展的态度不一样了，美光要叛变到CTP技术阵营，英特尔还将坚持浮栅极技术阵营。

　　3D闪存时代美光、英特尔阵营是少数坚持浮栅极技术的NAND厂商

　　在NAND技术上，2D NAND闪存厂商使用浮栅极(Floating Gate)技术的还很多，不过转向3D NAND时代，从三星V-NAND闪存开始普遍转向了电荷捕获(Charge trap)技术，只有美光、英特尔还在坚持使用浮栅极技术。

　　这两种技术各有优缺点，三星早前在V-NAND宣传中提到CTP技术可靠性更高、P/E耗能更低、写入性能更好等等，但是这种技术也有成本高等问题，早前美光认为CTP技术可靠性并不好，如果六个月后不使用，NAND可能自己就擦除数据了。(注：三星早期的3D NAND遭遇过掉速问题，大概也与此有关)

　　不过3D NAND时代，NAND转向CTP技术已经是大势所趋，浓眉大眼的美光也不再坚持浮栅极技术了，在96层堆栈闪存之后技术路线也会转变，但英特尔没有这么做，这件事也被传成为双方分手的原因。

　　美光、英特尔的分手还有至少一年时间才能完成，不过3D NAND闪存之后，双方还会在3D XPoint闪存上技术合作，美光在前几日的财报会议上提到会为3D XPoint闪存使用单独的工厂，而英特尔之前也将中国大连的晶圆厂改建为闪存厂，主产3D NAND闪存，3D XPoint闪存未来也有可能在这里生产。

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