美光 96 层 NAND 与 1Y 纳米 DRAM 下半年出货

美光 96 层 NAND 与 1Y 纳米 DRAM 下半年出货

　　SSD 今年越来越便宜，存储器也有望逐步下调。美光(Micron)于近日线上财务说明会议，表示下一世代 96 层 3D 堆叠 NAND 快闪存储器将于今年下半年开始量产出货，而 1Y 纳米 DRAM 也会在同期量产。

　　美光近期财报均交出不错的成绩单，但对读者而言，能出现便宜的产品让消费者选购似乎更实际一些。近日美光举办 2018 第三季会计年度线上财务说明会议，本季营业额达美金 78 亿元，相比去年同期提升 40%，相较上一季也增长 6%。

　　除了优异的财报结果，第三代 3D 堆叠 64 层 NAND 快闪存储器，预计将于今年第二季量产出货，成本进一步下调。美光也对第四代 3D 堆叠快闪存储器产品表示开发进度良好，将继续使用 Replacement Gate 制程和 CMOS under the array 结构。

　　▲ 3D 堆叠 96 层快闪存储器和 1y 纳米动态存储器，均预计于今年下半年量产出货。

　　美光另一项重要产品 DRAM 动态存储器，1X(18)纳米制程预计下半年将成为量产主力，1Y(14~16)纳米制程也将于下半年量产出货，更进一步的 1Z(12~14)纳米或 1α 也在开发。中国邀请存储器生产厂商喝咖啡之后，存储器售价涨势受到一定程度的压抑，对终端消费市场而言，只要未来没有什么重大状况，这态势或许会延续到下半年。

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