能效更高，SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成

能效更高，SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成

　　11月12日消息，SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。

　　该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以提供最佳的性能和容量密度。

　　技术指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产率提高了20%，功耗降低了15%。

　　SK海力士还表示，新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构，使得数据传输的出错率降低。

　　官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货，率先用于服务器和PC产品上，最后向手机等领域推广。

　　科普：

　　在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于XYZ具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码