信息存储电路
来源：电子发烧友 作者：华强电子网 时间：2019-01-23 12:35
信息存储电路
由于ARM的读写速度很快，防止ARM访问片外存储单元出现“瓶颈”现象，应选用快速存储器芯片，不需要ARM插入等待状态，只要将存储器芯片的地址线、数据线与MC9328MX1的数据线、地址线相连，再辅以必要的控制信号和译码电路，就可以使ARM全速运行。在系统中，我们选用4片CY7C1049B-15 SRAM（512K X 8bits）用作信息存储器，再附加上掉电保护电路，将其构成1M字存储单元。它在系统中分配的存储地址为8000H-FFFFH单元（注：0000H-7FFFH为其它存储用），故1M字存储单元共可分成1M/32K=32个页面。其中页面寄存器利用可编程器件FPGA设计实现。信息存储器模块的电路图见图5：
上一篇：FPGA显示扫描框图
下一篇：桥式起重机电气控制电路
相关文章
存储
- •又一芯片加入存储涨价阵营！2023-12-26
- •突发！Marvell再裁员！2023-11-17
- •全球存储厂商最新业绩大PK2023-11-10
- •主打高阶市场！这家厂商引领定制化存储行业发展2023-05-31
- •韩国发芯片发展十年蓝图，确保存储及代工的“超级差距”2023-05-10
- •存储巨头美光拒绝5月再降价2023-04-27
- •量价齐升，出货超10亿颗！一家国内领先的存储控制芯片厂商2023-01-03
- •量价齐升，出货超10亿颗！一家国内领先的存储控制芯片厂商2022-12-16
- •PCIe Gen5明年三月送样！这家全球顶级存储主控芯片厂商发力车规领域2022-12-09
- •存储芯片研发与封测一体化布局，这家厂商如何脱颖而出？2022-09-23
