国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功

      国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功，这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。

　　该项目是芜湖大院大所合作的重点项目，西安电子科技大学芜湖研究院依托于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料，目前在国际第三代半导体技术领域处于领先水平，将助力5G通信制造领域的国产化进程。

　　GaN是第三代半导体材料，在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

　　据大江晚报报道，西电芜湖研究院技术总监陈兴表示，研究院目前已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力。下一步他们将尽快将这项技术商用，力争早日推向市场。

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