深科技拟定增不超17.1亿元 投资存储先进封测与模组制造项目

深科技拟定增不超17.1亿元 投资存储先进封测与模组制造项目

深科技公告，公司拟非公开发行不超89,328,225股股票，募资不超171,000万元，扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目。

据披露，存储先进封测与模组制造项目总投资306,726.40万元，其中建设投资296,471.17万元，铺底流动资金10,255.23万元。项目建设周期为36个月，主要建设内容为：

（1）DRAM存储芯片封装测试业务，计划全部达产后月均产能为4,800万颗

（2）存储模组业务，计划全部达产后月均产能为246万条模组

（3）NANDFlash存储芯片封装业务，计划全部达产后月均产能为320万颗

本项目技术来源于沛顿科技自主研发与长期积累，沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。

随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。