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英飞凌新一代CoolMOS 可减少50%的开关损耗
2015年5月22日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出全新的CoolMOS?C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600V系列相比CoolMOS?CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他
2015-05-22 15:25 -
英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTMC7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外，得益于低开关损耗，还可在任何负载条件下实现能效改进。C7适
2013-05-21 09:25