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华虹半导体推出0.11微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台
华虹半导体今日宣布推出0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具
2015-06-12 16:18
华虹半导体今日宣布推出0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0.18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具
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