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                            ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC中国上海,2025年10月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出适用于中等耐压系统(12V~48V系统)的采用“TriC3TM”技术的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自 
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                            体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET中国上海,2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiCMOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-26 
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                            实现业界超高额定功率!ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列中国上海,2025年10月14日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ~100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。在电流检测领域,无论是车载市场还是工业 
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                            ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管中国上海,2025年10月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”,该产品在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平 
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                            ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”,可实现更高的设计灵活性和功率密度中国上海,2025年9月22日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出二合一结构的SiC模块“DOT-247”,该产品非常适合光伏逆变器、UPS和半导体继电器等工业设备的应用场景。新模块保留了功率元器件中广泛使用的“ 
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                            适用于高功率密度车载充电器的紧凑型SiC模块引言要实现零碳社会的目标,交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器(OBC)便是其中一例。紧凑型传递模塑功率模块如何满足当前车载充电器(OBC)的需求?正文电动交通领域的发展日新月异:为提高车辆的 
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                            ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关!ROHM推出适用于Zone-ECU的高性能智能高边开关!~高容性负载驱动,为汽车电子化进程注入强劲动力~中国上海,2025年8月5日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,针对汽车照明、汽车门锁、电动车窗等正逐步采用Zo 
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                            ROHM推出实现业界超低电路电流的超小尺寸CMOS运算放大器中国上海,2025年7月29日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出工作时的电路电流可控制在业界超低水平的超小尺寸CMOS运算放大器“TLR1901GXZ”。该产品非常适用于电池或充电电池驱动的便携式测量仪、可穿戴 
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                            ROHM推出“PFC+反激控制参考设计”,助力实现更小巧的电源设计!中国上海,2025年7月22日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新的参考设计“REF67004”,该设计可通过单个微控制器控制被广泛应用于消费电子电源和工业设备电源中的两种转换器——电流临界模式PFC(Powe 
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                            ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃中国上海,2025年6月10日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHMLevel3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响,因此在设计阶段的仿真验证 
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                            ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFETROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,被全球知名云平台企业认证为推荐器件~中国上海,2025年6月3日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发 
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                            ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产中国上海,2025年5月27日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaNHEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速 
