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英特尔明年推超低功耗处理器 威盛CX3M面对挑战
29日从英特尔方面证实，英特尔将与明年上半年推出超低功耗处理器Menlow，以适应市场对于超低功耗处理器的需要。据了解，威盛将在今年第三季度推出CX3M处理器，以取代目前的C7-M处理器。威盛在200
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龙芯2E应用获新突破 北京九校学生成首批受益者
5月29日下午消息基于“龙芯2E”的网络计算机电子阅览室系统将于6月在北京市东城区、西城区的九所学校安装、调试并投入使用，未来该系统可为九个学校的学生读者提供包括电子书籍阅览、课外多媒体欣赏以及网络浏
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广达获500万部iPhone订单 生产第二代iPhone
北京时间5月30日消息，综合国外媒体报道，有消息称，中国台湾广达电脑公司已经拿下苹果公司五百万部iPhone的订单，广达股价因此一度飙升，但广达方面并未就此报道发表评论。报道称，全球最大的笔记本电脑代
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集邦：DRAM现货价开始反弹 6月合约价有望止跌
上周DRAM现货价跌破制造成本后，主要DRAM厂商均表示不愿意再砍价出清库存，市场解读为DRAM价格底部浮现，使得现货市场的交易量明显放大，尤其是DDR2ett颗粒大涨12.5%，带动DDR2品牌价格
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集邦:6月DRAM合约价可望持平
随着产品价格跌破成本，某DRAM大厂已将部份DRAM产能移转生产Flash，预计7月产出将减少10%至20%，市场看好第三季DRAM价格表现；集邦科技表示，由于DRAM厂开始抵制OEM厂要求的超低价格
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南韩手机DRAM业 长期优势恐不再
诺基亚技术长奥扬佩拉29日在南韩举行的2007年首尔数字论坛表示，南韩若不采用全球手机标准，等于将目前的市场优势拱手让人。全球行动电话龙头诺基亚表示，南韩若不采用全球手机标准，等于将目前的市场优势拱手
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集邦：DRAM价跳不起来
DRAM现货价格近期有回温迹象，市场原预期价格将有一波强劲反弹。但集邦科技（DRAMeXcange）昨（29）日表示，5月、6月终端市场需求尚未明显复苏，加上传统淡季影响，短期DRAM价格就算反弹，力
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内存价格终于反弹 业内持不同意见
在5月18-25日，DRAM内存价格终于出现了反弹，业界分析家对该现象是标志着大范围的调整开始还是仅仅是一个短期现象持有不同意见。据DRAMeXchange的数据显示，从5月18日开始，包括eTT在内
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内存市场出现价格上浮现象 最高涨幅过15%
内存市场出现了价格上浮现象，这是各内存厂商希望看到的。从市场的反馈来看，512MbitDDR264Mbx8，eTT内存的价格上幅最高，达到了15.56%。数据显示，主流的512MBDDR2内存出现价格
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DRAM价格滑落 三星被迫将产能转至Flash
5月29日消息，目前市场上主流512MbDRAM现货价格已经滑落至每颗1.3美元。三星、海力士等国际存储大厂不得不采取产能转换战略，陆续将DRAM产能转至Flash。而我国台湾DRAM制造厂因为仅有D
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四月全球芯片销售同比增10.9% 达202亿美元
四月全球芯片销售额的三个月平均值为202.4亿美元。与三月份相比下降了2.7%。TerraSecuritiesASA的分析师BruceDiesen称，四月全球芯片销售额的三个月平均值为202.4亿美元
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存储行情天天谈——5月29日
DXI为2,889.38,上升16.2(0.56%)台湾市场：今日的DRAM市场，DDRII需求缓缓增加，整体价格也出现反弹上升的现象，交易量明显放大；而在DDRI的部份，价格则是缓缓向下修正，交易量
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iSuppli:08年3月前全球DRAM销售恐减缓
美国研究机构iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM销售将减缓，出货增长将压低价格。iSuppli今天在南韩首尔的科技会议上发表声明指出，全球DRAM到明年3月以前将持续减缓。iSupp
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DRAM获利料于6-7月触底,因产能移转至NAND--iSupply
路透首尔电---美国研究机构iSupply周二表示,动态随机存取内存(DRAM)制造商的获利料将在6月底或7月初触底,而第二季则将面临巨幅亏损。受产能增加影响,包括韩国三星电子及海力士半导体在内的DR
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存储行情天天谈——5月28日
DXI为2,873.17，上涨7.63(0.27%)台湾市场：今日的DRAM市场，市场动能显得相当冷清，报价及询价动作也不明显，因此整体价格持稳，不过交易量有限。512Mb(64M*8)667/533
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電池芯7月还要涨，新普及順达受益
電池芯原料價格上揚，帶動電池組價格攀升，台系電池廠昨（24）日表示，今年電池芯將連漲兩波，本月調漲後，7月還要再漲一次。此外，今年下半年電池芯缺貨問題嚴重，是否能搶得電池芯穩定材料來源，將是電池組裝廠
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铜箔机板6月拟再涨价 族群走势涨跌互见
国际铜期货报价自5月上旬出现回档，铜箔基板(CCL)价格自5月涨价10%至15%后，涨势未停歇，6月价格拟再调涨5%至10%，受此激励，相关个股包括台燿(6274)、合正(5381)股价走扬，至於联茂
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DDR2 512Mb ETT均价两天反弹16.2%
DRAM现货价今天持续跌深反弹走势，根据集邦科技调查，DDR2512MbETT均价继23日强劲反弹了9.56%后，今天进一步弹升至1.58美元，再上涨5.88%；2天共计反弹了16.2%。根据集邦科技
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DDRII价格持续反弹 通路商损失可望回冲
DRAM现货市场512MbDDRII有效测试（eTT）颗粒继前日单日大涨8.95%后，前（24）日持续强弹5.88%，短短两个交易日价格反弹近15%，透露行情止跌回稳讯号，通路商友尚（2403）、至上
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南科：DRAM价9、10月达高点
南科（2408）副总经理暨发言人白培霖昨（25）日表示，DRAM价格已「超跌」，价格近期将开始反弹，预期9、10月左右，DRAM价格将再见到高点。不过，他也坦承，南科第二季要赚钱「机率不大」。白培霖表
