东芝看好NAND型闪存市场 优先开发扩充产量

东芝看好NAND型闪存市场 优先开发扩充产量

     （华强电子世界网讯） 根据东芝台湾的高级工程经理Richard Lin透露，东芝准备优先开发NAND型闪存市场，特别是手机，消费电器以及其他专用设备，例如游戏机和高速网络路由器等所使用的内存。他还指出，NAND型闪存市场从2002年到2010年将增长202%，而DRAM内存和NOR型闪存增长比率分别是44%和42%。
    
     手机中所用的内存通常是用多芯片封装(MCP)形式，这样可以让设计者尽可能缩小手机尺寸。东芝目前提供的其他存储产品还包括NOR型闪存，1T SRAM和低功耗单芯片封装的SDRAM。
    
     东芝同时还生产多种小尺寸数码相机和PDA用闪存产品，Lin补充说。东芝将努力通过采用多层控制单元(MLC)技术来让单位面积硅晶圆上的密度提升一倍，从而制造出更大容量的闪存。
    
    　　Lin还说，东芝将为网络和图形系统等专业应用场合生产采用Rambus公司的XDR内存技术的高速XDR-DRAM内存。根据东芝12月份时曾经发布的一份报告，下一代的宽带应用需要在更高速率下处理更大流量的数据，所以对大容量超高速内存芯片的需求将大增。
    
    　　最后，Lin肯定地说东芝将扩充在日本三重县和大分县的12英寸晶圆厂的产量以迎合NAND型闪存的强劲需求。