Infineon推出低通态电阻的30V功率MOSFET

Infineon推出低通态电阻的30V功率MOSFET

英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的 OptiMOS－T2 30V MOSFET 是一款N沟道器件，在10ｖ栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为０．9毫欧。采用D2PAK－7封装的IPB180N03S4L－H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。

基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。

出于成本和效率原因，整个行业都开始转向沟槽设计。OptiMOS-T2等功率MOSFET沟槽技术相对于以往的技术，在通态电阻和栅电荷方面实现了大幅改进。这使得优值系数（FoM=栅电荷x通态电阻）达到业界最低水平。此外，英飞凌创新的大电流“Powerbond”技术可解决MOSFET键合引线受限问题，降低键合引线通态电阻的降幅，并增强电流功能。通过使键合引线更凉能进一步提高可靠性。最新的Powerbond技术可确保一个MOSFET具备多达4条500微米键合引线，使标准封装器件具备180A的额定电流。

OptiMOS-T2技术和结实耐用的封装经过精心设计，能够在MSL1 （1级潮湿度）条件下，承受回流焊接过程中的260 °C高温，并且采用无铅电镀，以符合RoHS标准。IPB180N03S4L-H0功率MOSFET完全符合汽车电子委员会（AEC-Q101）的规范要求。英飞凌先进的沟槽技术具备低栅电荷、低电容、低开关损耗和出色的优值系数，可使电机效率达到新高，同时最大限度降低EMC辐射。此外，优化的栅电荷可确保更小的驱动输出级。

IPB180N03S4L-H0可满足需要许多并联MOSFET的大电流应用（超过500A）的要求。由于IPB180N03S4L-H0具备180A额定电流，因此，可使大电流系统所需的并联MOSFET减少一半，从而优化电流共享、热性能和成本。由于汽车电机逐步转向脉宽调制（PWM）控制以提高效率，因此，OptiMOS-T2 30V器件还可提供电池反向连接保护功能。

供货情况

具备180A漏极电流和仅0.9m?通态电阻的30V IPB180N03S4L-H0器件如今已实现批量生产。此外，英飞凌还提供另一种型号的器件——30V/180A （IPB180N03S4L-01）。该器件在10V栅源电压条件下，具备1.05毫欧的通态电阻，适用于十分注重成本的应用。这两款高功率MOSFET均采用标准的D2PAK-7封装。