吴雄昂：英特尔3D晶体管不会改变格局
记者：英特尔公司近日宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破，首款3-D晶体管进入生产技术阶段。Intel新技术可以降低近一半的功耗，在这种情况下，有人称在广大的移动电子消费市场上，它能与ARM打成平手，你如何评价？
吴雄昂：这一声明并不会给消费电子/移动产品市场的竞争带来变化。
Finfet/3D晶体管技术的开发涉及业界多家企业，该创新并不是Intel独有的。业界将在下一代产品中逐渐采用该技术，到那时，该技术会被应用于SoC设计。
整个ARM生态系统在22nm节点上非常积极，并已经开始投身20nm，而ARM也在积极开发针对这些节点的IP。我们在2011年5月4日已经推出四款20/22nm的测试芯片（两款22nm，两款20nm）。ARM和所有的主流代工厂在20nm/22nm上都有合作。我们已经宣布了与IBM合作，该合作将一直延续到14nm。同样，ARM与台积电也已经宣布了针对20nm的IP开发合作。
在消费电子/移动产品领域，使用较之服务器/台式电脑晚一代的工艺技术并不是一件新鲜事。但是更主要的是，在消费电子/移动产品领域，由于其市场规模以及产品价格的因素，更为重要的是能够提供一个成本、性能和功耗的最佳组合。同时，代工厂的生产能力也非常重要。
此3D工艺技术在最初的几代需要紧密耦合的设计流程，不适用于高度集成的移动片上系统设计，而高度集成的移动片上系统设计目前正在推动着广泛的半导体行业内的创新。
Intel的这一声明与他们在工艺方面的创新历史是相一致的。而ARM的创新则来自于我们的生态系统，涵盖工艺、微架构和片上系统(SoC)设计等多方面。
记者：ARM近期在云计算和服务器领域的最新发展是什么？
吴雄昂：对于这个问题我们暂时没有太多的信息可以向媒体透露。