EPC推出第二代eGaN FET晶体管EPC2014

EPC推出第二代eGaN FET晶体管EPC2014

　    宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）系列中的最新成员——EPC2014。EPC2014具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。

　　EPC2014 FET是一款面积为1.87平方毫米的40VDS及10V器件，当栅极电压为5V 时，RDS(ON)最大值是16mΩ。与前代EPC1014器件相比，新一代EPC2014器件具有明显更高的性能优势，其最大结温额定值提高至150℃，其性能在更低栅极电压时也得到全面增强。

　　与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2014体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

　　“除了性能方面增强了，新一代增强型氮化镓场效应晶体管-EPC2014是不含铅、无卤化物及符合RoHS(有害物质限制)条例的要求。”共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。