半导体芯片技术领域的新战争

半导体芯片技术领域的新战争

        二十世纪七十年代，因特尔等美国企业在动态随机存取内存（D-RAM）市场占上风。但由于大型计算机的出现，需要高性能D-RAM的二十世纪八十年代，日本企业名列前茅。而进入二十世纪九十年代后，高性能D-RAM成为了浪费品，反而小而贵的半导体深受欢迎。因此，大量生产PC用D-RAM的三星电子瞬间超越日本企业。那么走进智能手机、平板计算机时代的如今，在节省电力的移动式D-RAM竞争中谁会取得最终胜利？

         9月22日，在三星电子器兴区华城举办的“20NANO级D-RAM及Flash量产”活动中再次验证了三星电子是内存半导体的至尊。“一只老虎（三星电子）和三只小猫（Hynix、Elpida、Micron）”这一世界半导体生产结构没有改变。今年5月，排名世界第三的日本Elpida公布“世界最初25NANOD-RAM7月量产计划”，进而让全世界震惊。不过目前只生产出试用品，没能动摇三星电子18年的根基。另外，排名世界第二的Hynix要从明年初开始量产。

         所谓20NANO是指半导体线路的线幅（电线间距）为20NANO米（1NANO米是10亿分之一米）。线幅是头发的4000分之一，真是令人难以想象。属于尖端技术的10NANO级明年上市。过去，三星电子是以随着美日企业大量生产两国先开发的D-RAM和NANDFlash提高理论。不过2006年是首次推出NANOD-RAM，而且今年为止每年推出改善的产品，进而主导世界市场。是从“追随型”转为了“引领型”。

         半导体业界的习惯就是量产现代芯片之前开发下一代芯片。三星电子是开发了下下一代芯片，进而作为引领者占上风。今年由于D-RAM价格下降，日本和台湾企业考虑减产时三星电子会长李建熙还鼓励了攻击性投资。昨天在活动现场，李会长表示：“要警戒半导体业界的强风。”围绕P-RAM(IBM)、R-RAM（三星电子）、M-RAM（Hynix）等引领下一代的半导体，日后将有一场惊心动魄的战争。