中国角逐新型存储器市场

中国角逐新型存储器市场

        全球固态存储器的年产值约600亿美元，但“中国制造”的份额非常少，而“中国自主制造”几乎为零。但这种严重不对称的格局有可能被我国科技工作者打破。这是前天在沪召开的第十一届非易失性存储器国际研讨会上传出的信息。
    
       中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员宋志棠告诉记者，在上世纪80年代，日本曾通过国家战略，将存储器技术从美国转移到日本，从而在存储器市场上独领风骚。十年后，韩国则仿效日本，成为当下存储器市场的龙头。目前，三星和海力士两家公司撑起了全球存储器市场的半壁江山。
   
       “存储器技术密集，生产门槛高，由于缺乏自主知识产权，我国企业难以大规模进入。因此，我国至今尚未出现一家成规模的存储器专业厂家。”宋志棠认为，我国要在短时间内追赶和超越国外的先进技术十分艰难。
   
      但如今，一丝曙光正在中国面前亮起：存储器正面临产业升级，高速、高密度、低功耗的相变存储器（PCRAM）将可能是下一代存储器的主流技术之一。自2002年起，宋志棠带领课题组，与中芯国际、微芯等企业合作，组建起了100多人的研发团队，搭建起了与世界同步的40纳米相变存储器研发平台。去年，成功研发出8兆的相变存储器试验芯片，同时申请专利300多项，获得专利授权80项。
   
      “这标志着我国在下一代存储器领域，拥有了一定的自主知识产权。”宋志棠说，新型存储器相比传统存储器，存储速度快百倍以上，抗疲劳特性也成百倍地增加，因此市场竞争力相当强劲。“但我们自己研发的存储器要让市场接受，产业化很关键，我们还面临很多问题，如成品率还需进一步提升。”他设想，在该产品实现量产后，先占领低端市场，再逐步向高端市场进军。
   
      然而，目前韩国三星公司和美光公司已开发出1Gb容量的相变存储器产品。在新一轮的新型存储器角逐中，我国要尽量缩短差距，还需科研人员与产业界的共同努力。在这次会中，磁阻存储器、阻变存储器和铁电存储器等新型存储器作为未来研究方向也有相关的报告。据悉，目前中科院物理研究所、复旦大学等正专注于相关研究，为未来的存储器技术之争作准备。