Intel与Micron推出世界第一款20纳米128Gb的多层单元器件

Intel与Micron推出世界第一款20纳米128Gb的多层单元器件

       Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND闪存技术新基准 flash technology – 世界第一款20纳米、128Gb的多层单元(MLC)器件。这两家公司还宣布其64Gb、20纳米NAND器件已投入批量生产，进一步提高了该两家公司在 NAND制程技术上的领导地位。

       采用Intel和Micron合资的IM闪存技术 (IMFT) 公司开发的新款20纳米、 128Gb单片器件是业界第一只能存储1兆兆位(TB)数据的器件，在其仅仅指尖大小的空间内封装了8片裸片。新款20纳米、128Gb MLC NAND器件的存储容量和性能是该两家公司现有20纳米、 64Gb NAND器件的二倍。该 128Gb器件满足高速ONFI 3.0规范的要求，可达到333兆/秒(MT/s)的传输率，为客户提供一个更具成本效益的超薄，流线造型优美产品设计，例如平板电脑、智能手机和大容量 固态硬盘(SSD)等。

　　它们在20纳米制程技术上取得成功的关键是由于采用了一种创新的单元结构，其比传统结构能容纳更大规模的单元。它们的20纳米NAND器件采用 一种平面式单元结构--这在本行业是首次采用--以克服与先进制程技术伴随而来的内在困难，这使得其性能和可靠性与与上一代产品媲美。由于在NAND产品 上集成了第一Hi-K/金属栅栈，这种平面式单元结构成功地突破了标准NAND浮动栅的比例瓶颈。