IR 推出采用TSOP-6封装系列为低功率应用提供解决方案

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2012-04-24 10:48

       全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。  

       全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻(RDS(on)),能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件,最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。  
       IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“采用TSOP-6封装的IR全新功率MOSFET系列,与采用SOT-23和SO-8封装的现有器件相辅相成,为客户设计系统提供了更大的灵活性。这个平台拥有极低的导通电阻,因而这些新器件能够取代封装尺寸较大的MOSFET,有助于减少电路板面积和系统成本。”  
      所有新器件均达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS),不含铅、溴化物和卤素。  

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