Vishay的PowerPAIR功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖

Vishay的PowerPAIR功率MOSFET荣获2012中国年度电子成就奖

       4 月26 日 ，日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司的SiZ710DT 20 V n沟道PowerPAIR?功率MOSFET荣获功率器件/电压转换器类别的2012中国年度电子成就奖。 

        中国电子成就奖的功率器件/电压转换器产品年度奖项授予在设计和技术上有突出优点，为工程师提供了新的强大功能，能够大大节省时间、成本、占用空间等资源的产品。此外，该奖项颁发给将会在中国大陆地区产生重要影响的产品。  
        SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封装中采用  TrenchFET Gen III技术的非对称双边TrenchFET?功率MOSFET，可用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机中的系统电源、POL、低电流DC/DC和同步降压应用。器件的导通电阻比前一代MOSFET低43%，同时具有更高的最大电流并能提高效率。  
        SiZ710DT具有此类器件中最低的导通电阻，在小尺寸外形内集成了低边和高边MOSFET，比DC/DC转换器中由两个分立器件组成的解决方案能节省很多空间。低边的沟道2 MOSFET使用了针对非对称结构的优化空间布局，在10V和4.5V下的导通电阻为3.3m?和4.3m?，高边沟道1 MOSFET在10V和4.5V下的导通电阻为6.8m?和9.0m?。  
        颁奖仪式与在深圳举行的IIC-China 2012（3月23日至25日）同期举行，Vishay的中国及香港区高级销售总监Eric Lo代表Vishay领取了该奖项。（责编：Lecea)