GLOBALFOUNDRIES Fab8添置工具以实现3D芯片堆叠
4月27日，GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在为新一代移动和消费电子应用实现3D芯片堆叠的道路上，公司达到了一个重要的里程碑。在其位于美国纽约萨拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已开始安装一套可在尖端20纳米技术平台上的半导体晶圆中构建硅通孔(TSV)的特殊生产工具。此举将使客户能够实现多个芯片的堆叠，从而为满足未来电子设备的高端要求提供了一条新的渠道。
TSV，即在硅中刻蚀竖直孔径，并以铜填充，从而在垂直堆叠的集成电路之间实现导通。例如，该技术允许电路设计人员将存储器芯片堆叠于应用处理器之上，在实现存储器带宽大幅提高的同时降低功耗，从而解决了智能手机和平板电脑等新一代移动设备设计中的这一重大难题。
在尖端工艺节点上采用集成电路3D堆叠技术如今已日益被视为传统的在晶体管级上采用技术节点进行等比例缩小的替代方案。然而，随着新的封装技术的出现，芯片与封装交互的复杂性显著提高，晶圆代工厂及其合作伙伴越来越难以提供“端到端”的解决方案来满足众多尖端设计的要求。
GLOBALFOUNDRIES首席技术官Gregg Bartlett表示：“为了帮助解决上述在新的硅工艺节点上的挑战，我们很早就已开始与合作伙伴共同开发能够支持半导体行业下一波创新的封装解决方案。通过采用广泛合作的方法，我们能够给予客户最大的选择权和灵活性，同时致力于节省成本、加快量产时间，并降低新技术开发的相关技术风险。在Fab 8中安装20nm技术的TSV工具将令GLOBALFOUNDRIES新增一个重要能力，从设计到组装和测试，今后我们在与半导体生态系统中的众多公司在研发与制造上的合作都将因此受益。”
GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技术最先进的晶圆代工厂之一，也是美国规模最大的尖端半导体代工厂。该工厂专注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造，20nm技术研发正在顺利进行中。采用TSV的首颗全流芯片预计将于2012年第三季度在Fab 8开始生产。（责编：Lecea)
TSV，即在硅中刻蚀竖直孔径，并以铜填充，从而在垂直堆叠的集成电路之间实现导通。例如，该技术允许电路设计人员将存储器芯片堆叠于应用处理器之上，在实现存储器带宽大幅提高的同时降低功耗，从而解决了智能手机和平板电脑等新一代移动设备设计中的这一重大难题。
在尖端工艺节点上采用集成电路3D堆叠技术如今已日益被视为传统的在晶体管级上采用技术节点进行等比例缩小的替代方案。然而，随着新的封装技术的出现，芯片与封装交互的复杂性显著提高，晶圆代工厂及其合作伙伴越来越难以提供“端到端”的解决方案来满足众多尖端设计的要求。
GLOBALFOUNDRIES首席技术官Gregg Bartlett表示：“为了帮助解决上述在新的硅工艺节点上的挑战，我们很早就已开始与合作伙伴共同开发能够支持半导体行业下一波创新的封装解决方案。通过采用广泛合作的方法，我们能够给予客户最大的选择权和灵活性，同时致力于节省成本、加快量产时间，并降低新技术开发的相关技术风险。在Fab 8中安装20nm技术的TSV工具将令GLOBALFOUNDRIES新增一个重要能力，从设计到组装和测试，今后我们在与半导体生态系统中的众多公司在研发与制造上的合作都将因此受益。”
GLOBALFOUNDRIES最新的Fab 8既是世界上技术最先进的晶圆代工厂之一，也是美国规模最大的尖端半导体代工厂。该工厂专注于32/28nm及更小尺寸的尖端制造，20nm技术研发正在顺利进行中。采用TSV的首颗全流芯片预计将于2012年第三季度在Fab 8开始生产。（责编：Lecea)