灿芯半导体研发出USB 2.0物理层设计（PHY）

灿芯半导体研发出USB 2.0物理层设计（PHY）

国际领先的ASIC设计公司及一站式服务供应商，灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）今日宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司的0.11微米和0.13微米工艺平台成功开发了USB 2.0物理层设计（PHY）。
       该设计为采用USB 2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。灿芯半导体的USB 2.0物理层设计同时支持器件和主机应用的On-The-Go(OTG)规范。
       为了取得比竞争对手的产品拥有更小的芯片尺寸和更低的功耗，灿芯半导体的工程师们在PLL、I/O和其它模块的设计上都做了极大的改善。该新的物理层设计结构也能加快USB物理层IP的开发用于中芯国际的更先进工艺制程。（责编：陶圆秀）