东芝采用第八代工艺打造高性能低导通电阻MOSFET
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2012-12-12 09:46
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低导通电阻MOSFET——TPN2R503NC。该产品采用最新的第八代工艺打造,可用于锂离子电池保护电路和手机电源管理开关。其他两款第八代产品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到该产品系列中,成为现有型号的换代产品。所有三款产品均有助于降低设备厚度和总体尺寸,并可提高效率。
应用
1. 锂离子电池保护电路
2. 手机电源管理开关
主要特点
1. 由于采用了最新的第八代工艺,因此产品的导通电阻比现有的东芝产品要低。
2. 采用了TSON Advance封装,可提供出色的散热性能。
3. 高抗雪崩性能。

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