联华电子与美商Spansion将展开40纳米工艺研发合作

联华电子与美商Spansion将展开40纳米工艺研发合作

       联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion日前共同宣布，将展开40纳米工艺研发合作，整合联华电子40纳米LP逻辑工艺，以及Spansion eCT （embedded Charge Trap, eCT）嵌入式电荷撷取闪存技术。此份非专属授权协议包含了授权联华电子采用此技术为Spansion制造产品。

       Spansion嵌入式电荷撷取技术是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR闪存技术，且此项新技术可与先进逻辑工艺相整合，用于系统单芯片产品上。此外，该技术可微缩至40纳米以下，并可与High-k工艺结合。采用Spansion eCT技术的产品，将促进工业、汽车与消费性电子等应用产品所采用之技术，朝向更快速、更尖端的研发方向迈进。Spansion的eCT技术是扩展该公司PSS （Programmable System Solutions可编程系统解决方案）产品技术蓝图的主要推手，其结合闪存与逻辑电路后，可强化需要大量使用内存，处理器与MIPS之应用产品的处理效能。

       Spansion公司总裁暨执行长John Kispert表示：“与联华电子并肩合作，可进一步拓展Spansion的授权事业策略。藉由与联华电子这样的业界领导者合作，我们可更有效率地扩展本公司PSS产品技术蓝图与授权业务。除此之外，其它公司也将得以受惠于我们的电荷撷取技术，藉此跨入新市场，同时获得更高的附加价值。”

       联华电子营运长陈文洋表示：“联华电子期待与Spansion公司携手，整合我们的40纳米工艺与Spansion的电荷内存技术，利用双方优势，共同打造业界顶尖的逻辑平台。此次研发成果将可为不同产品市场的客户，带来具成本效益的创新技术解决方案。”