内存价格走势Q2恐不同调

内存价格走势Q2恐不同调

       内存第1季价格同步攀高，第2季价格走势恐不同调；DRAM可望续扬，NAND Flash则恐转趋疲软。

       受惠供货商减产，加上平板计算机及智能手机市场需求强劲，带动包括动态随机存取内存(DRAM)与储存型闪存(NAND Flash)第1季产品价格连袂走扬。

       根据市调机构集邦科技调查，第1季DDR3 2Gb颗粒合约均价自0.83美元，攀高至1.31美元，大涨57.8%；DDR3 4GB模组合约均价也自15.75美元，攀高至23.5美元，上涨49.2%。

       NAND Flash方面，第1季32Gb MLC颗粒合约均价自2.47美元，攀高至2.96美元，涨幅高达19.8%；高容量的128Gb MLC与TLC颗粒合约均价则上涨约1%。

       随着内存产品价格走扬，包括DRAM制造厂及内存模组厂第1季营运同步好转；其中，华亚科3月顺利单月转亏为盈，税后净利达新台币11.25亿元，每股纯益约0.21元。

       华亚科第1季虽然持续亏损，不过，税后净损仅6.13亿元，亏损金额较去年第4季大幅减少83.5%，每股亏损约0.11元。

       内存模组厂威刚第1季合并营收达76.41亿元，较去年第4季成长6.14%，也较去年同期成长7.98%。

       另一内存模组厂创见及内存控制芯片厂群联也同时看好，第1季毛利率应可较去年第4季攀升。

       展望未来，尽管第2季将步入个人计算机传统淡季，不过，威刚看好，第2季DRAM市场景气仍可望淡季不淡。

       集邦科技也预期，在中国大陆白牌平板计算机市场需求持续强劲，加上供给端又没有显著增加，未来DRAM价格仍可望持续攀高，旺季时DDR3 4GB模组价格不排除有机会挑战30美元，即还有3成涨价空间。

       法人看好，华亚科第2季营运可望进一步好转，应可单季转亏为盈；DRAM制造厂南科营运也将同步好转。

       集邦科技对第2季NAND Flash价格走势看法则相对保守。

       集邦表示，64Gb与128Gb高容量MLC颗粒出海口为代工厂的嵌入式内存(eMMC)与固态硬盘(SSD)应用，因大部分智能手机及平板计算机等新机多于6月上市，第2季恐将难以避免受到淡季效应影响。

       集邦预期，第2季高容量NAND Flash合约价走势恐将转趋疲软；不过，低容量NAND Flash因供给持续减少，价格则可望相对平稳。

       群联也预期，NAND Flash价格将于4月中达到高峰，4月底出现修正；但是修正幅度应不会大，修正后产品价格将可趋于平稳。

       不过，南韩为全球DRAM与NAND Flash最大供应国，南北韩情势发展势将牵动后续内存市场供给及产品价格走势，值得密切追踪观察。