Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-10-11 09:20
Vishay日前宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封装的首款器件。
《今日电子》的编辑根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步,以及性价比的卓越表现,从前一年推出的数百款产品中进行评选。Vishay的Si7655DN MOSFET因其创新,以及在适配器、电池、负载开关和电源管理应用中取得的成功而入选。
《今日电子》Top-10电源产品奖在9月12日北京国宾酒店举行的电源技术研讨会上颁发。Vishay北京办事处的销售客户经理Alice Wei代表Vishay领奖。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先P沟道Gen III技术,最大导通电阻为3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5 V)。这些性能规格比最接近的-20V器件高17%或更多。
Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,让电池运行的时间更长。器件的PowerPAK 1212-8S封装标称高度只有0.75mm,比PowerPAK 1212封装薄28%,可节省宝贵的电路板空间,同时保持相同的PCB布版样式。
- •Vishay近日将启动威世电阻学院计划2016-11-02
- •Vishay 推出新款Power Metal Strip?电阻2016-02-23
- •Vishay推出用于平板电视和便携电子设备的新款环境光传感器2016-02-19
- •Vishay推出新款超薄BiSy单路ESD保护二极管2016-02-17
- •Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积2016-02-16
- •2015年全球功率半导体市场规模减少7.0%2016-02-16
- •Vishay的ENYCAP?系列混合ENergY储能电容器荣获《Electronic Products》年度产品称号2016-01-25
- •大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET2016-01-21
- •Vishay新款三相桥式功率模块可提高系统可靠性并同时降低生产成本2016-01-18
- •Vishay新款双列直插薄膜电阻网络可实现高精度分压器2015-12-28