晶体管技术取得突破 单PN结的新型基础电子器件诞生

晶体管技术取得突破 单PN结的新型基础电子器件诞生

　　众所周知，晶体管要分成多种类型。其中，MOSFET作为基础器件由于其优越性能得到了广泛的应用。但是目前使用的场效应管存在两个被学术界称为PN结的结构。正常工作时源极和衬底间的PN结始终处于正向导通状态，所以在一般情况下，场效应管的源极和衬底是连接在一起的，由此源极和衬底间的PN结并没有在电路中起作用。

　　据相关研究人员介绍，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为单PN结的新型基础电子器件。

　　他们据此提出了一项专利申请，制造一种只有一个PN结的场效应管，能够完全取代现有结构的场效应管、简化场效应管的结构、降低成本并提高集成度。

　　相关研究人员表示，“单PN结场效应管只需改变相应设计，完全能够在现有标准的CMOS生产线上成功制造出来，希望能够有设计和制造伙伴与我们进行对接，尽快向产业化推进。”