IGBT主导市场锁定600-1200V领域 2014年增长可期|国际整流器公司产品营销和战略推广开发部副总裁|Alberto Guerra

来源:华强电子网 作者:------ 时间:2014-04-02 14:12

      IGBT是节能与新能源领域核心电子元器件,被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。2012年,IGBT市场受制于太阳能双反,高铁事故等负面影响出现了少许的下跌,但2013年已回归稳定成长的步伐。相关市场研究机构预估,5年后IGBT市场将从2013年的36亿美元上升到60亿美元。电力领域、消费电子、汽车电子、新能源等传统和新兴领域的广泛需求,使得IGBT的市场前景依然广阔。

  目前,600-900V的IGBT产品依然是市场的主流。虽然近期有消息称,IGBT业者正积极抢进600V以下的低电压应用以开创成长新契机,但从受访企业的情况来看,600-1200V 的应用市场依然是各大IGBT厂商竞争的焦点,并且各大厂商更多是通过技术创新、工艺创新来提高竞争力,以抢占更多市场份额。

  600-1200V应用市场成竞争焦点

  现阶段,虽然IGBT制造商们都在向中高压相关电力电子应用市场延伸,不过,中低压应用市场也是各厂商竞争的焦点。尤其是600-1200 V的IGBT产品的应用领域。甚至有分析机构称,若以营收计算,600~900V的产品才是市场产值最大的贡献来源。

  国际整流器公司(IR)的IGBT产品组合含盖从300V至1400V电压和从3A至200A电流(单芯片IGBT)的范围,涉及到目前市场上大多数在商业应用上切实可行的、所有可能的各个方面。其产品营销和战略推广开发部副总裁Alberto Guerra称,与其它竞争者相比,IR提供了最大、最广泛的技术、封装和额定电流/电压范围的组合。通过保持生产最全面的可选芯片技术,覆盖范围从一般的平面PT平台到最先进、最高密度的沟道平台,IR已经展示出其持续供应的能力,并且支持所有的市场领域和应用。IR公司所拥有的业界最佳性能和整体效率被看作是最高的行业基准,而在创新和竞争力方面,20年的认证记录也可以被看作是卓而不群的证明。

  Alberto Guerra认为,有时过于狭窄以及偏注于某个领域的市场研究会诱发潜在的误导性思维。“可以肯定的是低于1200V的电压应用,在单位产量方面,是占比最大的部分。然而,按照总的美元收入与利润计算,它很可能不是占比最大的部分。” Alberto Guerra进一步说,在分立式方面,600V电压范围的IGBT毫无疑问地占据主导地位,在这一领域,IR提供的专用IGBT产品型号组合的数量也最多。在模块部分,至今为止,1200V属于标准模块中的最大电压值的类别,而600V在所有的集成功率模块方面仍然占据主角地位(将驱动器IC集成到模块架构中)。Alberto Guerra直言,IR的战略是利用最具竞争力和最高效的IGBT技术来为600V-1200V涉及的应用领域服务,从而使整个客户群都可以保持最佳的灵活性和可升级性(电流、电压、封装),无论是现在还是将来都可以具有竞争力。

  有分析机构称,随着主流市场竞争日益严峻,一些公司开始进入超越传统范围下缘的新领域,积极往200~600伏特低电压区间移转,以达到更大量的应用,如白色家电产品和相机闪光灯。不过,从受访的企业情况来看,除了IR有提供600V以下的IGBT产品外,ST、华虹宏力的IGBT产品更多集中在600V-1200V范围。

  Alberto Guerra表示,对于IGBT技术,受到其双极部分和MOS部分的严格限制,没有300V以下应用机会,到目前为止,IGBT应用都是在这个电压范围之上才有效并且具有竞争力。Alberto Guerra认为,MOSFET现在是,将来也必定是(不考虑技术因素)250V至300V以下具有最高性价比、最高效率的开关技术,直到在功率半导体市场,未来推出最具创新型的氮化嫁MOSFET技术为止。

  2014年IGBT市场增长可期

  2012年,受制于太阳能双反,高铁事故等负面影响,功率器件的发展遇到一些挫折。但在2013年,功率器件市场实现了强力反弹。胡湘俊认为,2014年受惠于光伏、风能等绿色能源的快速发展,HEV/EV,白色家电,智能电网,机车拖动等应用的大量需求,功率器件尤其是IGBT将在未来很长一段时间保持稳定增长,而且这些应用很多牵涉到国家战略安全,这也为国产IGBT器件带来了很好的机会。

  IR对IGBT的市场前景十分看好。Alberto Guerra表示,“根据我们的预估,总的IGBT市场正在达到约40亿美元的收入,其中25%至30%是以分立式元件为中心,而其它的则由模块和集成型解决方案构成。” Alberto Guerra认为,总的IGBT市场具有极大的成长机会,低压和高压市场会实现等同的平衡。他预测,2014年, IGBT市场将不会出现任何下降趋势。当然,功率电子行业将会不时的进行调整,但是整体的趋势始终是向好的。新的、更加严格的节能法规在欧洲和中国的广泛采用,以及电子汽车不断增长的需求,抵消了2012年出现的太阳能逆变器和风力发电按需进行的调整。

  据Alberto Guerra介绍,除超过1700V的高电压IGBT市场外,IR的产品在大多数细分市场都有销售,主要适用于家电市场、工业和汽车领域。“目前所有这些领域对于IR的整体财务增长都有显著贡献,而家电和工业与汽车领域的贡献略大。然而,汽车领域在增长率方面具有的潜力最大,我们坚信这一领域将会为我们带来辉煌的业绩。” Alberto Guerra直言,对于IR所有的产品,包括IGBT和高压驱动器IC等而言,现在亚洲是IR最大的市场,在这一区域,IR除了提供最恰当的产品和技术外,尤其关注大规模分立器件市场。在过去12-18个月里,IR已经启动了几条新的产品线,包括一个新的IGBT分立式产品线,该IRGx46xx系列专门用于低功耗电机驱动。更为重要的是,IR为大功率模块市场推出了新款第8代1200V先进的沟道IGBT,以服务于整个行业市场的大需求量定制应用。

  在Alberto Guerra看来,新材料和新型半导体(如SiC和GaN)的处理也非常重要,但是只在极小领域应用,由于有限的可靠历史和确定证实的成本效率的限制,还不能被看作是一个主要的考虑因素。他预计,在新的突破性技术出现之前的若干年里,不会从IGBT产业转移任何有价值的份额。

  外资企业引领技术创新 本土企业奋起直追

  虽然对于IGBT在2014年的市场行情业界普遍看好,不过,Alberto Guerra同时也强调,不要陷入传统“过度供应与有限需求”的危险境地,逐步扩大生产能力,这是确保先进半导体技术经济可行性的决定因素。另外,应利用新的投资和创新,针对每个新性价比曲线,在市场接受的范围之内,持续的、以增量方式提高IGBT芯片性能的能力。

  实际上,在创新方面,各大企业从来都没有止步。为了增强自己竞争力,各大企业几乎都在不遗余力地推陈出新。如IR启动的第8代1200V IGBT系列。Alberto Guerra称,全新的第8代设计允许实现最佳的Vce(on),以降低功耗并提高功率密度进而实现超级强劲性能。新技术提供了柔软的开关特性,理想用于电机驱动应用,将dv/dt最小化以减少EMI和过电压,实现了可靠性及耐用性。在大电流功率模块中,当多个IGBT并联时,参数的有限分布提供了最佳的电路分配。薄片技术提供了提升的热阻和高达175°C的最大结温。Alberto Guerra告诉记者,IR的第8代IGBT平台提供了以工业应用为目标的超级技术,利用最佳的Vce(on),强劲和出色的开关特性,对IGBT平台进行专门的定制设计,以应对工业市场所要求的挑战。

  相比国外企业,本土IGBT企业尚处于追赶阶段,而且长期以来国内IGBT市场主要被欧美日系企业所垄断。不过,经过近些年的努力,国内的IGBT企业也取得了一些成绩和突破。但由于此前IGBT市场一直由国外厂商垄断,且采用的都是IDM模式,国内整个IGBT产业链并不成熟,市场也不规范。由于IGBT是大功率器件,是系统的能源核心,很多系统用户对国产IGBT器件信心度不足,甚至都不愿尝试。面对这一难点,除了IGBT业者拿出真正可靠、性能优秀的产品外,还需要国家从政策导向上给予一定的支持。当然,面对国际大厂的压力,本土企业也并非没有机会。国内业者更接近终端应用市场,可利用更好的沟通,灵活的商务模式,稳定的供应链迎接挑战。最重要的是练好内功,提供真正性能优异,可靠性过硬的产品。

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