JEDEC固态技术协会公布新一代行动记忆体规格JESD209-4 LPDDR4

JEDEC固态技术协会公布新一代行动记忆体规格JESD209-4 LPDDR4

　　JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4，号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。

　　根据该协会发布的新闻稿， LPDDR4 由 LPDDR3 的单通道架构升级为双通道、每通道16位元，总位元宽度达到32位元; LPDDR4 的I/O资料传输速率为3200 MT/s，总运作速率为4266 MT/s ，是LPDDR3运作速率2133 MT/s的两倍。

　　而因为采用双通道架构，降低了记忆体阵列到I/O接合垫(bond pads)之间资料讯号传递距离，因此新规格也能达到更低的功耗。

　　JEDEC理事会主席Mian Quddus 在新闻稿中表示，LPDDR4规格在性能上有大幅的提升：「是为了迎合全球最先进行动系统对功耗、频宽、封装、成本以及相容性方面的需求。」

　　新规格重点如下：

　　˙双通道架构;

　　˙提供CA与DQ的内部参考电压(Internal Vref);

　　˙资料汇流反转(Data Bus Inversion，DBI-DC);

　　˙CA与DQ内部终端电阻(ODT);

　　˙I/O吞吐量3200 MT/s、最大可达4266 MT/s;

　　˙信令电压(Signaling voltage)：367mV~440mV;

　　˙运作电压：1.1V;

　　˙预先撷取(Pre-fetch)容量：每通道32B;

　　˙拓朴：点对点、PoP、MCP;

　　˙最大I/O电容：1.3pF;

　　˙写入均衡(Write leveling);

　　˙6接脚(双通道12接脚) SDR CA汇流排，具备调驯功能(CA training);

　　˙与前几代低功耗DRAM规格相同，LPDDR4不需要DLL与PLL。

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