IC Insights：NAND与DRAM朝3D发展

　　随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路，IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态，期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图。

　　在2014年中期，制造 NAND 快闪记忆体元件的最先进制程技术采用的是20nm以及更小的特征尺寸，而 DRAM 采用的制造技术还不到30nm。根据图1所示的制程技术蓝图显示，在2017年以前，最小特征尺寸为2D (平面)的NAND flash将会过渡到10-12nm，而 DRAM 则将迁移至20nm或更小的 DRAM 。

　　不过，IC Insights坦承，这样的发展态势还无加以定论，因为制造制程节点的定义并不明确，尤其是在企业试图在竞争中取得某种优势时，就很容易受到行销「游戏数字」的影响。

量产NAND flash和DRAM发展蓝图(来源：IC Insights)

　　为了制造 NAND Flash ，2014年时已经加速量产15nm和16nm NAND 晶片了。三星(Samsung)是第一家最先量产 3D NAND 晶片的公司。该公司在2014年5月宣布开始量产采用32层记忆体单元的 V-NAND Flash 晶片。此外，在2013年，该公司已针对资料中心客户出货基于其第一代24层 V-NAND 技术的固态硬碟(SSD)。

　　从 2D 到3D NAND 记忆体全面转型的时机，将视 3D 成为更具成本效益选项之际而定，但这样的情况将会持续一段时间。甚至当达到成本的交叉点时， 2D 和 3D NAND 还可能共存好些年。

　　目前业界主要的 DRAM 制造商正以20nm级特征尺寸(20-29nm之间)进行量产制造。

　　如同 NAND flash 一样， DRAM 技术也正朝向以垂直方向整合电路的趋势发展。 3D DRAM 解决方案的例子之一是由HMC联盟开发的混合记忆体立方(HMC)。HMC联盟是由美光(Micron)和三星，以及包括Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士(SK Hynix)和赛灵思(Xilinx)等开发商共同组成。

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